而光刻的工作原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當于膠片，而光刻機就是沖洗台，它把掩膜版上的芯片電路一個個的複制到光刻膠薄膜上，然後通過刻蝕技術把電路“畫”在晶圓上。
而激光器負責光源産生，而光源對制程工藝是決定性影響的，隨著半導體工業節點的不斷提升，光刻機縮激光波長也在不斷的縮小，從436nm、365nm的近紫外（NUV）激光進入到246nm、193nm的深紫外（DUV）激光，現在DUV光刻機是目前大量應用的光刻機，波長是193nm，光源是ArF（氟化氩）准分子激光器，從45nm到10/7nm工藝都可以使用這種光刻機，但是到了7nm這個節點已經的DUV光刻的極限，所以Intel、三星和台積電都會在7nm這個節點引入極紫外光（EUV）光刻技術，而GlobalFoundries當年也曾經研究過7nm EUV工藝，只不過現在已經放棄了。
而使用極紫外光（EUV）作爲光源的光刻機就是EUV光刻機，當然這絕對不是單純只換個光源這麽簡單。
爲什麽需要EUV光刻？
現在所用的193nm光源DUV其實是2000年代就開始使用的了，然而在更短波長光源技術上卡住了，157nm波長的光刻技術其實在2003年就有光刻機了，然而對比193nm波長的進步只有25%，但由于157nm的光波會比193nm所用的鏡片吸收，鏡片和光刻膠都要重新研制，再加上當時成本更低的浸入式193nm技術已經出來了，所以193nm DUV光刻一直用到現在。
當然大家一定想知道爲啥同一光源爲什麽可以衍生出這麽多不同工藝節點，以Intel爲例，2000年用的是180nm，而現在已經是10nm了，其實光刻機決定了半導體工藝的制程工藝，光刻機的精度跟光源的波長、物鏡的數值孔徑是有關系的，有公式可以計算：
光刻機分辨率=k1*λ/NA
k1是常數，不同的光刻機k1不同，λ指的是光源波長，NA是物鏡的數值孔徑，所以光刻機的分辨率就取決于光源波長及物鏡的數值孔徑，波長越短越好，NA越大越好，這樣光刻機分辨率就越高，制程工藝越先進。
最初的浸入式光刻就是很簡單的在晶圓光刻膠上加1mm厚的水，水可以把193nm的光波長折射成134nm，後來不斷改進高NA鏡片、多光照、FinFET、Pitch-split以及波段鈴木的光刻膠等技術，一只用到現在的7nm/10nm，但這已經是193nm光刻機的極限了。
在現有技術條件上，NA數值孔徑並不容易提升，目前使用的鏡片NA值是0.33，大家可能還記得之前有過一個新聞，就是ASML投入20億美元入股卡爾·蔡司公司，雙方將合作研發新的EUV光刻機，許多人不知道EUV光刻機跟蔡司有什麽關系，現在應該明白了，ASML跟蔡司合作就是研發NA 0.5的光學鏡片，這是EUV光刻機未來進一步提升分辨率的關鍵，不過高NA的EUV光刻機至少是2025-2030年的事了，還早著呢，光學鏡片的進步比電子産品難多了。
NA數值一時間不能提升，所以光刻機就選擇了改變光源，用13.5nm波長的EUV取代193nm的DUV光源，這樣也能大幅提升光刻機的分辨率。
在上世紀90年代後半期，大家都在尋找取代193nm光刻光源的技術，提出了包括157nm光源、電子束投射、離子投射、X射線和EUV，而從現在的結果來看只有EUV是成功了。當初由Intel和美國能源部牽頭，集合了摩托羅拉、AMD等公司還有美國的三大國家實驗室組成EUV LLC，ASML也被邀請進入成爲EUV LLC的一份子。在1997到2003年間，EUV LLC的幾百位科學家發表了大量論文，證明了EUV光刻機的可行性，然後EUV LLC解散。
作爲全球唯一一家能EUV光刻機的廠家，ASML自然獲得了大量的訂單，截止至2019年第二季度，ASML的NEX:3400B EUV光刻機的裝機數已經多達38台，而下半年他們推出了效率更高的NEX:3400C光刻機，而在2019年全年一共交付了26套EUV光刻機，爲他們帶來了27.89億歐元的收入，占了全年收入的31%，而全年賣了82台的ArFi遠紫外光光刻機才進賬47.67億歐元，可見一套EUV光刻機是多麽的賺錢。