千分之一秒就能決定記憶長短，本地最新的科學研究成果，有望找出治療學習障礙、阿茲海默症和精神分裂症等患者的方法。
大腦神經元之間觸發的間隔越快，我們接收、儲存和反應新信息的速度也更快，而神經元通過突觸（synapse）傳遞信息到另一個神經元。
新加坡國立大學楊潞齡醫學院展開的研究，找出神經元通過突觸傳遞信息時，突觸“放電”的時機與記憶長短的關聯。
該醫學院生理學系研究助理彭珈琳（24歲）把白老鼠大腦中負責學習和記憶的海馬體切成薄片，注入電流模擬長期和短期記憶，記錄突觸接收到類似信息物質後四小時的變化。
突觸前神經元接收到信息後，會刺激神經元釋放神經傳導物質，激活突觸後神經元。突觸前後神經元之間“放電”的時機，影響了兩個神經元之間的聯系強度，被稱爲放電時序依賴可塑性（spike-timing-dependent plasticity）。
研究發現，突觸前神經元和後神經元如果能在少于30毫秒（千分之一秒）內同時激活，便會強化突觸的強度。然而，如果突觸前神經元至少30毫秒激活，又或者突觸後神經元提早10毫秒或以上激活，突觸的連接便沒有那麽強。
彭珈琳指出，突觸的強度意味著大腦是否有記住這些信息，越強就表示有記住。她說：“我們給神經元傳輸不重要的信息時，一般三小時後便會忘記。”
“當出現放電時序依賴可塑性時，突觸的聯系強化，研究顯示神經元會記得這些信息。一小時後，我們再傳輸不重要信息，神經元更容易記得。”她補充，研究發現神經元在更容易學會新信息的同時，並不會更快忘記。
生理學系副教授薩吉古瑪博士（42歲）指出，一旦掌握影響大腦記憶和學習的重點，未來或許能借助經顱交感刺激療法（transcranial alternating current stimulation，簡稱tACS），治療阿茲海默症或中風等病情。
這項研究獲得全國醫學研究理事會、國大和教育部資助，研究成果發表在3月1日的《美國國家科學院院刊》。