美光去年開始就擴建他們在新加坡的Fab 10工廠，擴展旨在進行新的3D NAND工藝節點轉換，並且保持和現在一樣的晶圓産量，上周他們舉辦了Fab 10 Expansion的開幕儀式，新建的無塵工作時能夠生産更多堆疊層數，存儲密度更大的閃存。
美光Fab 10 Expansion是由原來的Fab 10N和Fab 10X所組成的，根據官方的數據，廠房占地面積165000平方米，不過美光並們沒有透露無塵廠房面積，以及有沒有擴建別的東西。現在新廠房正在進行設備安裝，預計今年內心的廠房就可以生産96層堆疊的3D NAND，他們只要求産能與現在一樣，符合市場對閃存的需求就可以了，並不會增加産能。
隨著3D NAND堆疊層數的增加，每個晶圓必須在化學氣相沉積機器中花費更多的時間，這意味著蝕刻它們需要更多的時間，這意味著如果想新工藝的閃存維持和現有一樣的産量就必須在無塵廠房中配備更多多的CVD和蝕刻機，所以美光需要擴建廠房來維持閃存産量，當然了閃存晶圓的産量雖然沒變，但是生産出來的閃存容量就要大得多了。
除了擴建新的廠房外，美光還擴大了他們在新加坡的研發業務，他們的NAND Center of Excellence將進行技術開發與産品工程，希望以此提高Fab 10的産量和生産效率。