中微公司是國內領先、世界排名前列的半導體高端設備制造商。公司自成立以來主要從事半導體設備的研發、生産和銷售。公司以中國爲基地，爲全世界提供高端半導體微觀加工設備。主營業務爲開發大型真空微觀器件工藝設備，主要産品是刻蝕設備和 MOCVD 。刻蝕機用于半導體制程，客戶涵蓋台積電、中芯國際、海力士、華力微、聯華電子、長江存儲等； MOCVD 用于 LED 外延片制程，客戶涵蓋三安光電、華燦光電、乾照光電等。
技術更新叠代貫穿公司發展的各個階段。公司 2004 年在張江高科科技園區啓動運營，以瞄准世界科技前沿，堅持自主創新爲理念，不斷推出先進半導體設備産品。2007 年，公司推出首台 CCP 刻蝕設備，2012 年，首台 MOCVD 設備産品 Prismo D-Blue 研制成功，2018 年開始改進 Primo AD -RIE 並進入 5nm 生産線。公司産品在國際具有較高認可度，2019 年 5 月，中微公司在全球晶圓制造設備供應商中排名第三，在十大芯片制造設備專業型供應商和專用芯片制造設備供應商中均位列第二。中微公司已經連續兩年成爲其中唯一一家中國本土的半導體設備公司。
內生外延，高端半導體制程新版圖未來可期。目前，公司從三個維度對業務進行拓展布局規劃：
1）刻蝕設備領域作爲核心競爭力，向薄膜、檢測等關鍵設備領域擴展；2）擴展在泛半導體領域設備的應用，如布局顯示、MEMS、功率器件、太陽能領域的關鍵設備； 3）持續關注其他新興領域，考慮從設備制造向器件大規模生産，探索如環保設備及工業物聯網設備等領域的市場機會。
技術驅動，專業認可度業內領先。公司兩大主營業務刻蝕設備和 MOCVD 設備是半導體制造的核心工藝。薄膜沉積工藝是在晶圓上沉積一層待處理的薄膜，通過勻膠工藝把光刻膠塗抹在薄膜上，光刻和顯影工藝隨後把光罩上的圖形轉移到光刻膠，刻蝕工藝將光刻膠上圖形轉移到薄膜，去除光刻膠後，即完成圖形從光罩到晶圓的轉移。整個芯片制造流程需要數十次光罩，循環使用薄膜沉積、光刻和刻蝕三大工藝來將所有光罩的圖形逐層轉移到晶圓上。
等離子體刻蝕設備分爲電容性等離子體刻蝕設備（CCP，Capacitively Coup Plasma）和電感性等離體刻蝕設備（ICP，Inductively Coupled Plasma）。電容性等離子體刻蝕設備主要用于刻蝕氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量離子反應刻蝕的介質材料。電感性等離子體刻蝕設備主要用于刻蝕單晶硅、多晶硅等材料。
中微刻蝕産品線逐步成熟，從 CCP 向 ICP 快速開拓。
（1） CCP 刻蝕設備：公司 CCP 刻蝕設備，包括 Primo AD-RIE®、Primo SSC ADRIE™、 Primo HD-RIE™等産品批量應用于國內外一線客戶從 65nm 到 5nm 集成電路制造産線，其中在先進邏輯電路方面，公司已取得 5nm 及以下邏輯電路産線的重複訂單；在存儲領域，公司蝕刻設備已廣泛用于 64 層及 128 層 3D NAND 産線，並正在積極布局 DRAM 應用的工藝開發及驗證。
（2） ICP 刻蝕設備
ICP 刻蝕設備 Primo nanova®是中微公司 2018 年正式發布的第一代電感耦合等離子體刻蝕設備。目前，中微公司 Primo nanova®産品已成功進入海內外十余家客戶的晶圓産線，在領先的邏輯芯片、DRAM 和 3D NAND 廠商的生産線上實現大規模量産，2021 年 6 月 10 日公司第 100 台反應腔順利交付。目前，公司研發的具有高輸出率特點的雙反應台 ICP 刻蝕設備 Primo Twin-Star®也已經在客戶端完成認證，公司刻蝕設備産品種類不斷完善，競爭力持續提升。
公司的刻蝕設備産品具有行業競爭優勢，正逐步打破國際壟斷。公司開發的 12 英寸高端刻蝕設備已運用在國際知名客戶 65 nm 到 5 nm 等先進的芯片産線上；公司已開發出小于 5 nm 刻蝕設備用于若幹關鍵步驟的加工，並已獲得行業領先客戶的批量訂單。公司正開發新一代刻蝕設備和包括更先進大馬士革在內的刻蝕工藝，能夠涵蓋 5 nm 以下更多刻蝕需求和更多不同關鍵應用的設備。
在 ICP 方面，公司正在進行下一代産品的技術研發，滿足 5nm 以下邏輯芯片、1X 納米的 DRAM 芯片和 128 層以上 3D NAND 芯片的 ICP 刻蝕需求。
MOCVD 設備將超純氣體注入反應器中並精細計量以將非常薄的原子層沉積到半導體晶片上。含有所需化學元素的有機化合物或金屬有機物和氫化物的表面反應爲晶體生長創造條件，形成材料和化合物半導體的外延。
Prismo A7：公司的 MOCVD 設備 Prismo A7 設備已在全球氮化镓基 LED MOCVD 市場中占據領先地位；
Prismo HiT3：2020 年，公司推出了用于制造深紫外光 LED 的高溫 MOCVD 設備 Prismo HiT3，已在行業領先客戶端用于深紫外 LED 的生産驗證並獲得重複訂單；制造功率器件用 MOCVD 已在客戶芯片生産線上投入試用；
Prismo UniMax：2021 年 6 月，公司推出用于 Mini LED 生産的 MOCVD 設備 Prismo UniMax，並已收到來自國內領先客戶的訂單。目前，制造 Micro LED 等應用的新型
MOCVD 設備正在開發中。
公司自主研發的 MOCVD 設備已被三安光電、華燦光電、乾照光電、璨揚光電等多家與公司緊密合作的一流 LED 外延片及芯片制造廠商大批量采購。
研發力度行業領先，專利收獲頗豐。2020 年，公司研發投入爲 6.4 億，同比上漲 50.69點，主要用于研究開發新的工藝，包括存儲器刻蝕的 CCP 和 ICP 刻蝕設備、Mini-LED 大規模生産的高輸出量 MOCVD 設備、Micro-LED 應用的新型 MOCVD 設備等。研發投入占營業收入比例爲 28.14點，高于行業水平。從研發成果來看，公司具有深厚的技術研發基礎，擁有多項自主知識産權和核心技術，到 2020 年底，公司新增專利 80 個，累積 1096 個。截至 2021 年 4 月，公司研發人員數量達到 345 人，占員工總數的 38.55點。公司及子公司已申請 1,814 項專利，已獲授權且在保護期內的專利共 1,070 項（中國境內 568 項、境外 502 項）並且絕大多數專利在産品上得到應用。
品牌認可度高，榮獲多項獎項。多年深耕刻蝕設備及 MOCVD 設備領域，産品已成功進入了海內外半導體制造企業，塑造了技術領先、質量可靠的品牌形象。公司經過持續優質的産品交付、技術更新以及客戶服務，在行業內獲得了較高的認可度。2020 年，公司獲得 8 項主要獎項，其中包括“上海貿易自主品牌示範企業”、“2020 福布斯中國最具創新力企業 50 強”、“國家企業技術中心”稱號等。公司以積極參與有影響力的市場活動的方式，持續打造領先設備公司市場形象，不斷強化公司技術和品牌優勢。
産業積累深厚，客戶覆蓋國內外一線企業。2019 年 5 月，中微公司在全球晶圓制造設備供應商中排名第三，在十大芯片制造設備專業型供應商和專用芯片制造設備供應商中均位列第二。公司的高端半導體設備技術水平處于世界前列，客戶已經延伸至世界範圍，在公司的前五大客戶中覆蓋了國內外一線企業。並且隨著公司收入規模增大，主要客戶集中度逐年降低，2016年、2017年和2018年，公司前五名客戶銷售占比分別爲 85.74點、74.52點和 60.55點。多年來，公司産品技術及銷售服務競爭優勢不斷累積，同海內外客戶的業務合作關系不斷深化，客戶服務和産品解決方案專業化不斷提升，産品已進入包括台積電、中芯國際、華虹集團、長江存儲、采钰科技、海力士、聯華電子、華邦電子、格羅方德、博世、意法半導體、三安光電、江西兆馳、璨揚光電、華燦光電、乾照光電等國內外知名半導體制造企業。
公司發布 2020 年度向特定對象發行 A 股股票發行情況報告書，截至 2021 年 6 月 22 日，已收到認購對象繳付的認購資金，扣除發行費用後實際募集資金淨額爲人民幣 8,118,162,441.14 元。本次發行 A 股股票總數量爲 80,229,335 股，發行價格爲 102.29 元/股，于 2021 年 6 月 30 日在中國證券登記結算有限責任公司上海分公司辦理完成登記托管及限售手續。
20 家中外知名機構參與 82 億元定增，大基金二期約占本次募集資金的 30點。本次定增項目的發行對象共 20 家機構，限售期爲 6 個月。前十大獲配發行對象中，內資機構包括：國家集成電路産業投資基金二期獲配 24,440,316 股(占 30.5點)、工銀瑞信基金獲配 9,082,020 股(占 11.3點)、高毅資産獲配 3,799,586 股(占 4.7點)、河南資管及其他券商、公募基金；QFII 機構包括：新加坡政府投資公司 GIC 獲配 7,615,602 股(占 9.5點)、法國巴黎銀行獲配 2,639,553 股(占 3.3點)、瑞銀集團 UBS AG 獲配 2,326,717 股(占 2.9點)。本次定增發行後，國家大基金二期成爲公司的第五大股東，共持股 3.97點。
定增旨在擴充現有集成電路設備及泛半導體設備産能、提高科技創新水平。本次定增募集資金將用于公司的臨港産業化基地(實施 5 年)、臨港總部和研發中心(實施 5 年)等項目建設及科技儲備資金。其中，臨港産業化基地的規劃産能爲新增等離子體刻蝕設備 630 腔/年、MOCVD 設備 120 腔 /年、熱化學 CVD 設備 220 腔/年、環境保護設備 180 腔/年；臨港總部和研發中心將搭建技術研發、樣品制造與模擬測試的全周期研發平台，開展高端集成電路及泛半導體領域的研發工作。此外，科技儲備資金將用于紅黃光 MOCVD、大面積平板顯示、PECVD 等化學薄膜、光學檢測設備等領域的協作開發項目及橫向擴展集成電路關鍵設備、外延泛半導體設備等對外投資並購項目。定增項目的落地，將幫助産能積極應對集成電路産業景氣持續上升帶來的增長需求，及産品特性適應萬物互聯等行業發展趨勢帶來的新機遇。
芯片供需緊缺帶來半導體設備高景氣，公司 ICP 刻蝕銷售放量。據公司公告，截止 2021 年 6 月公司的單反應台 ICP 刻蝕 Primo nanova 交付累計達 100 台，根據公司 2020 年度業績說明會透露，可推導 2016-2021H1 的 ICP 刻蝕系列逐年新增腔數爲 2、6、13、6、28 及不低于 45 台，2021 年上半年的新增腔數比 2020 年全年的至少增長 61點，ICP 刻蝕産品的年度交付量正大幅增長，此次定增項目的落地將能更好的配合産能供應，助力業績增長。
在國産替代的關口，大基金入主，高景氣度行業，處在相對低位參與性價比較高，可以持續性關注後續的走勢！