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聯電董事會昨通過在新加坡Fab12i廠區新建一座先進晶圓廠計劃，新廠第一期月産能規畫爲3萬片晶圓，預計于2024年底開始量産，這座新廠(Fab12i P3)是新加坡最先進的半導體晶圓代工廠之一，提供22/28納米制程，總投資金額爲50億美元。
聯電在新加坡的工廠運營超過20年，新加坡Fab12i廠也是聯電的先進特殊制程研發中心。另家晶圓代工大廠美國的格芯（GlobalFoundries）去年中宣布將投資40億美元在新加坡擴建新廠，近年聯電和格芯競爭激烈。
聯電表示，由于5G、物聯網和車用電子大趨勢的帶動，對聯電22/28納米制程需求的前景強勁，因此新廠所擴增的産能也簽訂了長期的供貨合約，以確保2024年後對客戶産能的供應。加計新廠擴建計劃，聯電在2022年的資本支出預算將提高至36億美元。
聯電強調，新廠生産的特殊制程技術，如嵌入式高壓解決方案、嵌入式非揮發性記憶體、RFSOI及混合信號CMOS等，在智能手機、智能家庭設備和電動車等廣泛應用上至爲關鍵。
聯電董事長洪嘉聰表示，在過去的20年裏，聯電受益于新加坡完善的基礎設施、産業鏈以及人力資源。擴大聯電在新加坡的12吋晶圓廠營運，將使聯電的制造能量進一步朝多元化邁進。
新加坡經濟發展局主席馬宣仁指出，半導體是新加坡的一大支柱産業，聯電在新加坡電子半導體制造業裏扮演了舉足輕重的角色，聯電對新加坡的信任及投資，將深化新加坡在全球半導體産業鏈地位。
全球12吋晶圓廠數量將超200個
截至 2021 年底，共有 153 家半導體晶圓廠處理 300mm 晶圓，用于制造 IC，包括 CMOS 圖像傳感器和功率分立器件等非 IC 産品。
300mm 晶圓廠數量在 2021 年增加了 14 家，是自 2005 年開設相同數量以來的一年中最多。根據計劃，2022 年全球將開設 10 家晶圓廠，其次是 2023 年的 13 家和 2024 年的 10 家。這使行業處于到 2026 年，將有超過 200 條 300 毫米晶圓廠線投入運營。
越來越多的 300 毫米晶圓廠正在建造用于制造非 IC 器件，尤其是功率晶體管。在大硅片上處理芯片的制造成本優勢對于以大芯片尺寸和大容量爲特征的器件類型發揮作用。具有這些特性的集成電路示例包括 DRAM、閃存、圖像傳感器、複雜邏輯和微組件 IC、PMIC、基帶處理器、音頻編解碼器和顯示驅動器。雖然與這些 IC 的芯片尺寸相比，大硅片功率晶體管仍然很小，但它們的出貨量很大，而且足夠大，足以讓 300 毫米晶圓廠保持在具有成本效益的生産水平。根據 IC Insights 的數據，2021 年功率晶體管的單位需求量達到 435 億顆，功率 MOSFET 和 22 億顆 IGBT。
在計劃于 2022 年開始投入運營的 10 座 300 毫米晶圓廠中，有兩家將專注于非 IC 産品的生産。一個是中國重慶的華潤微電子工廠，另一個是士蘭微電子旗下的中國廈門工廠。
今年新開的 300 毫米晶圓廠中有三分之一是由台積電建造的。爲了應對對其代工服務的高需求，該公司在 2021 年將資本支出增加了 74%，達到 300 億美元。大部分支出用于裝備台南 Fab 18 園區的第 4 期和第 5 期晶圓廠。台積電還在中國南京的 Fab 16 工廠完成第二家工廠，以滿足對成熟技術的需求，尤其是 28nm CMOS。
德州儀器和意法半導體（及其新的晶圓廠合作夥伴 Tower Semiconductor）正在完成 300 毫米晶圓廠的建設，目標是模擬和混合信號 IC 生産。TI 報告稱，2021 年的資本支出大幅增加，與 2020 年相比，這一年的支出增加了 279%。大部分資金用于購買該公司位于德克薩斯州理查森的第二個晶圓廠和第三個 300 毫米晶圓廠的新設備。RFAB2 設施將使理查森工廠的晶圓産能增加一倍以上。
計劃于 2022 年開業的新 300 毫米晶圓廠中只有兩家是用于存儲産品的。SK Hynix 預計將在其位于韓國清州的 M15 工廠開始運營 3D NAND 的第二階段生産線，而華邦計劃在台灣高雄啓動新的 DRAM 工廠。
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