最近兩年時間我國芯片研究喜報不斷，近日中科院對外宣布，中國科學院所研發出了新型垂直納米環珊晶體管，這種新型晶體管被視爲2nm及以下工藝的主要技術候選，這意味著這項技術成熟後，國産2nm芯片有望成功破冰，這個比之前三星所發布的3nm工藝需要采用的GAA環繞珊極晶體管性能更強，功耗更低。
除了華爲和中科院之外之外，目前我國還有很多芯片設計企業，他們的實力也不容小觑，比如剛成立不久的平頭哥，他所研發的AI芯片含光800，其性能已經在處于行業前列。根據MLPerf基准聯盟公布的首輪AI推理基准測試結果，阿裏巴巴平頭哥的AI芯片含光800在Resnet50基准測試中獲得單芯片性能第一。
據中國工程院院士倪光南表示，目前我國的芯片企業在數量上已經位居世界第一，芯片的總體設計水平已經達到了世界第二，可以看出我國芯片設計能力進步是非常明顯的。
2、我國的芯片制造進步也非常明顯。
一直以來我國的芯片制造主要集中在90納米以下的低端芯片，很多高端芯片都嚴重依賴進口，不過最近兩年時間，我國的一些芯片企業也具備了生産高端芯片的實力。
比如中芯國際從2015年開始就研發了14納米芯片，目前良品率已經達到了95%以上。最近一段時間，中芯國際已經官宣，位于上海浦東張江哈雷路上的芯片制造公司，14納米的芯片生産線已經正式量産。這讓中芯國際跟台積電，三星等頂尖芯片企業的差距進一步縮小。
3、芯片制造所需的核心零部件之一蝕刻機，我國也是屬于世界前列的。
說到芯片制造大家都知道光刻機是非常關鍵的一個環節，但除了光刻機之外，蝕刻機同樣也是非常關鍵的一個環節。
在蝕刻機領域，目前我國的技術水平已經達到了世界先進行列，目前我國的7nm蝕刻機已經實現量産，另外由中微半導體生産研發的蝕刻機，在2019年的時候也順利通過了台積電5納米工藝的驗證。
不過目前我國在光刻技的研發上也取得了一些進步。
比如2018年11月，由中國科學院光電技術研究所所承擔的國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收，該裝備采用365nm波長的紫外光單次成像，實現了22納米的分辨率，結合雙重曝光技術後，未來還有可能用于制造10nm級別的芯片，這爲我國芯片加工提供了全新的解決途徑。
再比如2019年4月，武漢光電國家技術研究中心甘棕松團隊采用二束激光在自主研發的光刻膠上突破了光束衍射極限，采用遠場光學的辦法，成功刻出9nm線寬的線段，實現了從超分辨成像到超衍射極限光刻制造的重大創新，這個技術突破讓我國打破了三維納米制造的國外技術壟斷。
總之，最近幾年我國的芯片制造實力進步非常明顯，但與世界先進水平的差距仍然比較大，不過按照目前我國芯片的研發進度，未來我相信我國跟世界先進水平的差距會慢慢縮小，甚至有可能超越世界先進水平。