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進入 5G 世代，5G 産品大多具備高功率、高壓、高溫等特性，傳統的硅 (Si) 原料因無法克服在高壓、高頻中的損耗，所以已無法滿足新世代的科技需求，這使得碳化硅 (SiC) 開始嶄露頭角。
而利用 SiC 制作出的電子零組件相對于 Si 的優勢主要來自三個方面：降低電能轉換過程中的能量損耗、更容易實現小型化、更耐高溫高壓。
根據 Yole Développement 報告指出，到 2024 年，SiC 功率半導體市場規模將增長至 20 億美元，2018 年至 2024 年期間的年複合成長約 30%。其中，汽車市場無疑是最重要的驅動因素，其占 SiC 功率半導體市場比重到 2024 年預計將達 50%。
特斯拉 Model 3 就是采用 ST 與 Infineon 生産的 SiC 逆變器，是第一家在主逆變器中整合全 SiC 功率模組的車廠。
車載充電器：SiC 零組件正在加速滲透至車載充電器領域。根據 Yole 統計，截至 2018 年有超過 20 家車廠在自家車載充電器中採用 SiC SBD 或 SiC MOSFET 零組件，且這一市場在 2023 年之前可望保持 44% 的增長。
SiC 産業鏈
全球 SiC 産業格局呈現美國、歐洲、日本三強鼎立態勢。其中又以美國獨大，占全球 SiC 産值約 70% 至 80%。當中主要的企業有 Cree、Transphorm、II-VI、Dow Corning。
歐洲方面則是擁有完整的 SiC 産業鏈，包含基底、磊晶、零組件及應用産業鏈。主要企業則有：Siltronic、ST、IQE、Infineon 等。
日本則是 SiC 設備和模組開發方面的領導者。主要企業則有：松下、羅姆半導體、住友電氣、三菱化工、瑞薩、富士電機等。
中國大陸雖有涉入，但發展仍在初期，規模遠不如上述三個國家和地區的規模和實力。中國大陸廠目前在基底、磊晶和零組件方面均有布局。主要企業有: 中電科、天科合達、泰科天潤、山東天嶽、東莞天域、深圳基本半導體、上海瞻芯電子、三安集成等。
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