（本文首發于5月30日公衆號“半導體行業觀察”。其後筆者獲得了這些碳化硅企業在PCIM 2022上透露的一些最新信息，因此較首發文章加入了一些重要更新。）
毋庸置疑，碳化硅已經成爲了半導體行業，特別是功率半導體細分市場的那個“遠方”。行業老對手和新玩家紛紛湧入，加倍下注（double down）這個新興市場。其中不但有射頻大廠Qorvo跨界收購UnitedSiC，還有三安、露笑等投資百億試圖趕超。此情此景不禁讓人聯想到百年前列強簽訂《五國關于限制海軍軍備條約》前，如火如荼的軍備競賽。
前有美英法意日五大強國的海軍博弈，今有意（法半導體 STMicroelectronics）、英（飛淩科技 Infineon）、德（北卡德罕Wolfspeed）、日（本羅姆 Rohm）和美（安森美 onsemi）在碳化硅市場的藍海爭奪戰中完成曆史的輪回——這五家供應商對應的CR5占據了2021年碳化硅功率器件市場份額的88%。
然而五巨頭的目標不止于此，在這個逆水行舟的市場中，分別祭出了各自的“Z計劃”和“八八艦隊規劃”，嘗試在已有項目、客戶資源、産品技術和制造産能等多方面超越競爭對手。下面就讓我們逐一盤點五巨頭在碳化硅這個新興市場中的籌碼和底牌，以及隨之而來的決心和野望。
2021年碳化硅功率器件市場市占率分布情況 （來源：Yole，01芯聞整理）
意法半導體 STMicroelectronics
根據意法半導體在近期財報中透露的最新數據，截止2022財年第1季度，公司碳化硅産品已經在75個客戶的98個項目中送樣測試，其中工業應用和電動汽車應用各占一半。同時意法宣布在這個季度獲得了多個Design-win, 包括與德國模塊大廠賽米控（Semikron）簽署了一項爲期4年的技術合作，由意法提供碳化硅芯片，賽米控提供封裝技術，共同開發針對電動汽車的eMPACK功率模塊。該模塊已被一家德國整車廠選用，預計2025年開始大規模采購，合同金額在10億歐元左右。
賽米控eMPACK功率模塊由三塊半橋通用構建塊組成，已與意法達成協議采用其碳化硅MOSFET芯片（來源：Semikron
根據當前的項目和訂單儲備，意法預計2022年來自碳化硅産品的營收在7億美元左右，而這一數字在2024年將達到10億美元。
目前采用意法碳化硅産品的整車廠客戶首推特斯拉，自Model 3車型以來就開始采用意法提供的TPAK碳化硅模塊，這也成爲碳化硅上車並實現規模化運用的標志性事件（詳情請見筆者之前的文章《特斯拉澎湃動力來自何方？》）。另外，去年底開始交付的豪華電動車Lucid Air也是采用意法的碳化硅模塊。
考慮到意法在碳化硅市場的地位，筆者認爲意法對未來業務增長的預期略顯保守，與其他幾個碳化硅主要供應商相比增幅並不大（注：在本月剛剛結束的PCIM 2022上，意法將10億美元的營收目標提前到2023）。猜測主要原因是意法現有碳化硅産能已經綁定了頭號客戶特斯拉，因此在新産能上線前，意法能做的事並不多。
針對這一狀況，意法計劃在2022財年投入21億美元的資本金，主要目的之一便是增加碳化硅産能——一方面繼續擴容意大利西西裏島卡塔尼亞的6寸碳化硅晶圓廠，另一方面投入到2022年開始運營的，位于新加坡的第二座6寸碳化硅晶圓廠。公司另將9億美元戰略投資中的一部分投入到碳化硅襯底的生産上，用于産業鏈垂直整合，在2025年實現40%的襯底需求內部供應。
同時，公司也在碳化硅研發上繼續投入相當資源。在生産技術上，意法于2021年年中宣布其挪威分部STMicroelectronics Silicon Carbide A.B. （前身爲2019年收購的Norstel A.B.）開始進行8寸碳化硅材料的實驗室制造，預計相應技術將在2025年前後成熟，並應用到規劃中的新加坡8寸碳化硅生産線中。
在芯片設計上意法繼續深挖平面設計碳化硅MOSFET的技術潛力，推出了第4代平面柵碳化硅，預計在今年第二季度量産。而之前規劃的溝槽柵設計産品則順延成爲意法的第5代碳化硅MOSFET，目前應該在工程樣品測試階段，量産時間待定。
意法碳化硅MOSFET的産品路線圖新舊版本略有區別 （來源：STMicroelectronics）
相比上一代産品，第4代平面柵碳化硅的性能有所進步，包括導通電阻減少15%，工作頻率增加一倍至1MHz。碳化硅芯片技術的進展再搭配意法開發的先進封裝，例如STPAK，ACEPACK SMIT/DRIVE等，爲意法保持其碳化硅産品核心供應商的地位提供了重要支柱。
再加上意法碳化硅TPAK在特斯拉電動車中近5年的大規模應用積累下來的海量數據，讓意法的産品在多個維度都領先衆多競爭對手——Yole Developpment的數據顯示意法2021年的市占率爲37%，即便未來群雄割據，管理層也表示有信心占有30%的碳化硅功率器件市場份額。
英飛淩 Infineon
這個季度英飛淩宣布碳化硅産品線再獲Design-win, 分別爲中國整車廠的電動汽車逆變器和車載充電機應用提供産品，合同總金額達到上億歐元。即使這兩個項目不能在今年貢獻顯著的營收，目前已有的碳化硅訂單也使得2022財年來自碳化硅産品的收入超過去年近一倍，沖擊3億歐元。
綜合現有Design-in和Design-win項目，公司管理層預測到2025年前後碳化硅功率器件産品線可以爲公司帶來10億美元左右的營收，由汽車電子事業部ATV和工業功率控制事業部IPC分別貢獻50%左右。目前這一比例爲20：80，因此汽車客戶對碳化硅的需求增長更爲迅速。但是考慮到碳化硅功率器件的主要應用在電動汽車領域，其他幾個巨頭的已有訂單和在研項目情況也符合這一趨勢，可見英飛淩的碳化硅産品在工業和新能源領域占據的市場份額很高。
在汽車客戶中，已經開始英飛淩貢獻碳化硅産品營收的客戶包括現代集團，其Ioniq 5電動緊湊型休旅車采用緯湃科技Vitesco提供的800V逆變器，內部使用的碳化硅模塊即來自英飛淩。與此同時，英飛淩還是小鵬汽車的碳化硅模塊的主要提供商，用于旗艦SUV車型G9中，預計今年第3季度起正式交付。另有傳聞特斯拉也將英飛淩列爲其碳化硅TPAK的備選供應商。
英飛淩對碳化硅功率器件業務的財務預期 （來源：Infineon）
雖然英飛淩的碳化硅營收增長迅猛，但是英飛淩並非通過薄利多銷的方式來擴大其碳化硅市場份額。CEO Jochen Hanebeck表示碳化硅帶來的毛利潤率反而高于車規産品事業部和工業産品事業部的平均值。這一點對英飛淩尤爲重要：與德州儀器和NXP等競爭對手相比，目前英飛淩在模擬和功率半導體公司中運營利潤率處于墊底的位置，急需改變所銷售的産品構成來提高利潤率，鞏固其功率細分市場一哥的位置。
英飛淩碳化硅産品能夠定位高質高價，其原因在于其溝槽碳化硅MOSFET技術的先進和成熟。雖然平面結構碳化硅MOSFET生産工藝較爲簡單，柵極氧化物可靠性更高，但是在與性能相關的單位面積導通電阻和寄生電容，以及成本相關的單位電流芯片尺寸上不能比肩溝柵設計。
英飛淩在整個碳化硅技術以及溝槽碳化硅MOSFET方面都積累了大量的專利，數量分別達到919件（包括已授予和申請中）件和82件，在五巨頭中位列第一。
英飛淩的半包溝槽結構也是業界不多的幾個能夠量産上車的碳化硅溝槽結構設計（其他還包括羅姆的雙溝槽和住友的接地雙掩埋結構等）——按照公衆號“碳化硅芯片學習筆記”作者的說法，“溝槽MOS成套工藝及結構IP，是未來十年碳化硅競爭的入場券！”。
平面碳化硅MOSFET的品質因素FOM遜于溝槽柵設計 （來源：System Plus Consulting）
英飛淩的溝槽結構碳化硅以CoolSiC作爲商品名，目前已推出了兩代産品。第一代以1200V爲主，目前處于量産階段。而第二代産品包括1200V和750V兩個電壓規格，相較上一代增加了25-30%的載電流能力。
在針對電動汽車開發的碳化硅模塊産品上，英飛淩著重擴充HybridPACK Drive系列産品，推出了尺寸和管腳兼容的HybridPACK Drive CoolSiC。目的是充分利用前期HybridPACK Drive建立的業內知名度和客戶資源，減少市場推廣成本，降低客戶切入的壁壘。
不過爲了獲得更好的性能和更緊湊的方案尺寸，第二代CoolSiC也采用了業內逐漸流行的雙面水冷封裝HybridPACK DSC，推出了全新的碳化硅塑封模塊。
英飛淩CoolSiC技術的叠代，以及對應的電壓規格和功率模塊封裝 （來源：infineon）
與同處歐洲的競爭對手意法半導體類似，英飛淩的碳化硅營收也受制于産能。因此，公司一方面從技術要産能，通過開發冷裂（Cold Split）技術減少晶錠（boule）切割過程中的材料損失，從相同的晶錠中獲得多一倍的碳化硅襯底。目前這一技術處于小批量試産中，預計2024年完全成熟。
另一方面，公司也在年初宣布斥資逾20億歐元在馬來西亞建設第三期Kulim晶圓廠，專門用于寬禁帶半導體包括碳化硅的前道生産。新廠區計劃在今年6月開始施工，2024年夏季進行設備安裝，首批晶圓于2024年下半年開始出貨。
英飛淩的冷裂技術可使碳化硅襯底産能翻倍 （來源：infineon）
Wolfspeed
Wolfspeed這個季度（2022財年第3季度）最大的新聞就是其位于紐約州莫霍克谷（MVF）的8寸碳化硅晶圓廠正式開始運營，預計在2023年上半年貢獻顯著營收。這座晶圓廠占地6.3萬平方米，耗資10億美元，是目前世界上最大的碳化硅生産線。
根據公司在2021年投資者大會上公布的信息（詳情可見筆者之前的專題文章《Wolfspeed和碳化硅的未來將是怎樣？》），每片8寸晶圓上的碳化硅芯片數量將比現有的6寸晶圓增加了近90%，並且得益于先進的自動化生産設備，良率也比Wolfspeed的6寸産線提高20%-30%。
按照粗略的計算，MVF的8寸晶圓生産總成本（包括襯底和前道工藝）只要不超過Wolfspeed Durham晶圓廠6寸晶圓成本的2.5倍，MVF晶圓廠生産的碳化硅芯片成本就可以低于目前水平。而管理層對MVF晶圓廠帶來的成本優化的預期更爲樂觀，認爲2024財年Wolfspeed單顆碳化硅芯片成本將僅爲當前的37%。
Wolfspeed對MVF建成後碳化硅芯片降本的預期，其中28%來自良率提高，25%來自規模效應 （來源：Wolfspeed）
MVF晶圓廠的運營也給Wolfspeed的産能帶來飛躍。根據投資者日上間接透露的信息計算，2022財年和2024財年的公司碳化硅襯底總産能（以8寸晶圓計）分別爲每周2千3百片和3千3百片。假設這些襯底全部內部消化且只用來生産功率器件，Wolfspeed碳化硅模塊的産能理論上可以滿足2022年170萬台和2024年240萬台電動汽車的需求。
本季度除了營收同比和環比繼續保持增長外，Wolfspeed的Design-in項目金額也與上季度一樣保持高位，達到16億美元。這使得本財年迄今爲止的Design-in總金額增加到38億美元，較去年同期增加一倍。
這些新增的Design-in項目中，有大約70%來自電動汽車行業，包括明星電動車企Lucid的旗艦車型Lucid Air。在意法的碳化硅模塊之外，這款高端電動汽車也將引入Wolfspeed的XM3碳化硅功率模塊。預計2023年MVF 8寸線能夠穩定量産後，Lucid也將使用內含MVF碳化硅芯片的XM3模塊用于Lucid Air及後續車型。因此，Lucid首席工程師、産品資深副總Eric Bach在MVF晶圓廠開業典禮時作爲客戶代表致辭，也是爲了能夠盡快拿到MVF晶圓廠所生産的量産芯片。
Lucid Air的逆變器中用到了3塊Wolfspeed XM3碳化硅模塊 （來源：Lucid，Wolfspeed）
如果將時間拉長到過去三年，Wolfspeed累積的Design-in金額在87億美元這個驚人的水平，其中包括大衆集團“未來汽車供應路線（FAST）”計劃和通用汽車奧騰能平台項目。另外，市場也傳言戴姆勒集團和奧迪的下一代E-tron車型也選擇了Wolfspeed的産品。當然，也少不了關于特斯拉將Wolfspeed例如TPAK供應商備選名單的傳聞。
本季度管理層表示已經有45%的Design-in即40億美元轉化爲Design-win，這意味著Design-win對應的客戶已經開始實際批量采購Wolfspeed的碳化硅芯片，且至少占預期第一年數量的20%。
按照公司預估的2024財年15億美元營收目標，這也需要差不多3年時間才能滿足已有的客戶需求，因此産能不足造成的訂單積壓仍然是一大挑戰。考慮到這個情況，管理層把擴充碳化硅襯底和器件制造産能依舊作爲公司的首要工作。
舉措之一就是在本季度財報電話會議中，Wolfspeed宣布公司已經開始著手第二座8寸碳化硅晶圓廠的籌備工作，比之前的規劃大大提前。CEO Gregg Lowe透露新晶圓廠較MVF規模更大，並且美國聯邦和州政府依然將提供大力支持，更多信息會在今年底釋出。另外，第三座襯底工廠的建設也在考慮中，以滿足內部和外部襯底客戶的需求。
Wolfspeed的碳化硅MOSFET采用平面設計，目前處于第3代（Gen 3），涵蓋650V到1200V之間的多個電壓規格。與之前兩代産品相比，Gen 3 平面MOSFET采用六邊形晶胞微觀設計，650V Gen 3和1200V Gen 3+的單位面積導通電阻分別爲2.3 mΩ·cm2和2.7 mΩ·cm2，較上一代Strip Cell減少了16%。
（一個有趣的對比是，另一家碳化硅MOSFET大廠安森美的技術升級路線與Wolfspeed正好相反，其第一代平面産品M1采用Hex Cell設計，但是在後面的M3中改爲Strip Cell，性能提高的幅度也是16%。理論上，Hex Cell比Strip Cell等設計的等效單元密度高。但是在實際設計過程，Hex Cell較爲麻煩且工藝一致性要求高，反而Strip Cell簡潔實用。因此，意法和安森美可能針對各自晶圓廠的工藝水平做了方向不同的設計優化）
Wolfspeed Gen 3碳化硅MOSFET采用Hex Cell的平面技術（來源：Wolfspeed）
一份較早的資料中Wolfspeed提到其Gen 3碳化硅MOSFET已經到達了平面設計的實際性能極限，下一代産品將是溝槽柵設計。目前Wolfspeed的Gen 4 溝槽柵仍在開發中，具體量産時間還沒有透露。因此，筆者猜測Wolfspeed可能會在碳化硅MOSFET平台上采用類似意法的做法，再溝槽産品量産前這段時間再插入Gen 3.5甚至Gen 4等額外一兩代平面結構産品，針對車規可靠性、可生産性等方面進行優化，而將溝槽調整爲次世代Gen 5。
不過，作爲一家在碳化硅行業中浸淫了超過30年的企業，Wolfspeed及其前身Cree在1991年就推出了第一片量産碳化硅襯底。深厚的經驗積累和曆史沉澱讓Wolfspeed的碳化硅襯底性能和質量獨占鳌頭，就連意法、英飛淩和安森美等同行業競爭對手不得不花費上億美元向其采購。因此，Wolfspeed的平面碳化硅産品也能保證相應的性能和質量，成爲了整個碳化硅行業的風向標。
Wolfspeed 8英寸碳化硅襯底的結構質量和化學機械抛光（CMP）工藝後的表面質量都表現出色 （來源：wolfspeed）
羅姆 Rohm
羅姆作爲一家在東京證券交易所上市的科技企業，其投資者關系網站上所提供的非日文資料有限。但是從找到的文件中，可以看到公司對其碳化硅業務也是極具信心——管理層預測2025財年碳化硅産品營收將超過1000億日元（7.7億美元），而目前已挖掘出來的市場機會則超過8400億日元（65億美元）。
這些財務和業務目標來自羅姆積極的産業布局。公司已經與國際多家客戶建立了緊密的聯系，合作項目帶來的預期營收就占到總營收目標的20%-30%。
僅在中國，羅姆就與正海集團成立主營碳化硅功率模塊設計和制造業務的合資企業海姆希科。同時，與整車廠吉利汽車，以及國內汽車行業知名一級供應商聯合電子UAES分別成爲戰略夥伴關系或首選供應商。另外，也與聯合電子和專注新能源汽車動力解決方案的初創企業臻驅Leadrive成立聯合實驗室或者聯合研發中心。
羅姆碳化硅營收增長目標（23-26財年，對應日曆年2022年到2025年），目前已經公布的産業合作 （來源：Rohm）
當然，野望需要有匹配的實力才能實現。羅姆已經規劃在2021年至2025年的5年間，投入1200億至1700億日元（10億-13億美元）的資金，將碳化硅産能擴充至少6倍。這些投資現在已看到部分成果，包括在今年初完成了日本築後市 Apollo 工廠新大樓的建設，從而提高了 SiC 芯片産能。
大量投資也湧入了羅姆2010年收購的SiCrystal。這家碳化硅襯底供應商的中期目標是每年生産數十萬片碳化硅襯底，實現上億美元的營收。同時，SiCrystal也在探索8英寸襯底生産的可能性，目前已經開始驗證工作，預計2023年批量生産。
而在上周的PCIM展會上，羅姆宣布將其 2024 年之後的産能規劃再提高爲之前計劃的近 2 倍，顯然也是看好了碳化硅這片藍海。
羅姆最新的産能規劃 （來源：Rohm，NSR）
在碳化硅器件技術方面羅姆也處于領先地位。2010 年公司就開始量産首款碳化硅MOSFET，與之後推出的第2代産品都采用平面柵極設計。2015年羅姆又領先競爭對手，率先量産雙溝槽結構的第3代産品，已在一些汽車客戶處得到應用。
羅姆的碳化硅MOSFET技術路線圖，以及第4代産品的銷售占比變化 （來源：Rohm）
隨後，Rohm在2020 年推出了針對電動汽車優化的第 4 代 1200V碳化硅MOSFET，在不降低短路耐受時間的情況下，通過改進雙溝槽結構設計，比第3代産品降低了40%的導通電阻。同時，通過降低柵漏電容（Cgd），使得開關損耗減少了至多50%。綜合來看，第4代産品獲得了更好的FOM（品質因數，Figure of Merit）。羅姆預測第4代碳化硅MOSFET從今年起在其銷售構成中的占比逐漸增加，直至2024-2025年成爲銷售主力。
與其他尚在挑戰首款量産溝槽柵産品的競爭對手相比，羅姆已領先數個身位，第5代産品正在開發中，預計比上一代産品減低30%的單位面積導通電阻，計劃于2025年量産。不止于此，第6代碳化硅MOSFET也出現在技術路線圖的遠景規劃中，將于2028年量産。
英飛淩和羅姆碳化硅相關專利的數量，在溝槽碳化硅MOSFET專利數量分別排名第6和第8 （來源：KnowMade）
羅姆的技術實力也體現在其專利數量上。五巨頭中羅姆的碳化硅相關專利總數量僅次于英飛淩。溝槽碳化硅MOSFET設計專利全球排名第8，達到65件。如果算上所有碳化硅MOSFET相關專利，羅姆甚至超過了英飛淩排名五巨頭第一。
因此，羅姆認爲當前9%的碳化硅功率器件市占率並非天花板，中長期30%的市占率戰略目標才能體現其技術實力和産能供應能力。
安森美 onsemi
安森美在2022年第1季度繼續保持強勁增長，毛利潤率也達到了近50%的曆史新高，處于公司成立以來的高光時期。碳化硅産品的業績貢獻雖然占比還比較小，但是增長動量十足——安森美與客戶簽訂的未來三年長期供應協議（LTSA）總金額已達到26億美元，其中有超過20億美元來自電動汽車動力總成對碳化硅模塊的需求，包括蔚來汽車和特斯拉（詳情見筆者之前的文章《特斯拉神秘供應商浮出水面，十億合同花落誰家？ – 知乎》）。
蔚來汽車ET7將采用安森美900V碳化硅功率模塊驅動 （來源：onsemi，蔚來汽車）
CEO Hassan El-Khoury表示這些承諾訂單將從2022年下半年起開始批量履約，推動碳化硅産品線在2022年的營收較上一年增加超過一倍，並在2023年爲安森美貢獻10億美元的銷售額。
不過與英飛淩不同的是，管理層透露2022年下半年至2023年上半年期間碳化硅産品的利潤率將低于公司平均水平。這歸結于之前安森美尚未規模供應碳化硅模塊産品，今年下半年起的産能爬坡所需的啓動成本降低了毛利潤率。
雖然安森美在五巨頭中排名末席，但是其綜合實力不可小觑，尤其是2021年第3季度通過收購襯底供應商GTAT，搭建了從碳化硅晶錠、襯底、器件生産到模塊封裝的垂直整合模式。雖然其中一些項目的技術實力與各領域領先企業還有所差距，但是整體實力卻更爲均衡——與襯底龍頭Wolfspeed相比，安森美的模塊封測和量産經驗略勝一籌；與器件設計實力超群的英飛淩相比，安森美又有來自GTAT碳化硅材料的加成。
安森美在碳化硅業務上的布局較爲均衡 （來源：onsemi）
安森美也看到了自身在碳化硅方面的綜合實力，把碳化硅確立爲公司兩大資産投資方向之一，規劃在2022年將碳化硅襯底産能增加四倍，意圖在未來能夠自産所需的全部碳化硅襯底和外延片。
在碳化硅晶圓制造上，安森美已經在6寸晶圓上實現量産，目前推出的絕大部分産品如碳化硅MOSFET單管，光伏碳化硅模塊等均來自韓國Bucheon晶圓廠6寸線。與此同時，安森美也跟隨Wolfspeed等行業領先者的步伐，在材料方面和晶圓制造上均開始嘗試8寸碳化硅的生産。
得益于仙童半導體在碳化硅技術上的積累，安森美在收購仙童後也獲得了開發各類碳化硅産品的堅實基礎。
安森美的第1代碳化硅MOSFET技術（M1）采用平面設計，耐壓等級爲1200V。之後從中衍生出900V和750V耐壓的規格，微觀結構也改爲Hex Cell設計，這兩個改動相疊加使得碳化硅MOSFET的導通電阻降低了35%左右。目前安森美推出的大部分碳化硅産品均基于M1與其衍生出的M2平台。
目前最新的一代碳化硅技術（M3）仍然采用平面技術，但是改爲Strip Cell設計，導通性能較上一代衍生版本再提高了16%。這一代産品將逐漸成爲公司的主力車規碳化硅平台，在電壓規格上覆蓋電動汽車主流的400V和800V平台。
而安森美的下一代技術平台M4則會從平面結構升級爲溝槽結構，目前已積累了大約20份相關專利。與初代碳化硅技術相比，在相同載電流的要求下可以減少相當的芯片面積。這意味著以前210kW輸出功率需要4片碳化硅芯片並聯才能實現，而M4平台預計只需要其一半面積的芯片即可。如果再加上M4平台可能采用8寸晶圓生産，預期M4的成本較之前將顯著降低。
安森美的碳化硅技術持續進步，功率密度、散熱能力和成本不斷優化 （來源：onsemi）
根據研究機構Yole Développement最近的一份研報，碳化硅器件的主要應用場合爲電動汽車，占到總營收的近80%。而碳化硅功率模塊又是碳化硅芯片的主流封裝模式。因此，高性能大功率模塊封裝是碳化硅應用，特別是車規應用的關鍵研發領域之一。
通過IGBT模塊上的多年積累，安森美在大功率車規模塊上早有布局，其技術涵蓋了市場上主流的兩種大功率模塊類型，一是有凝膠灌封的框架式模塊，二是整體覆蓋環氧樹脂材料的塑封式模塊。前者即是被應用于蔚來汽車ET7的功率模塊，而後者更是安森美的研發重點（羅姆也有同樣的傾向）。
相較框架式模塊，塑封模塊可以實現更高的功率密度。同時，外形設計具有靈活性，可以根據客戶的要求進行半定制或者完全定制。正是因爲這些特點，再加上公司在模塊設計和量産上的成功經驗，最終讓安森美從特斯拉處獲得了TPAK模塊新增供應商的門票。
小結
碳化硅功率器件五巨頭都對未來市場發展和各自公司碳化硅産品營收增長表達了樂觀的看法，因此投入重金積極擴充碳化硅襯底和晶圓制造産能。與此同時，這些公司也積極進行技術升級，包括向8英寸制造演進，以及開發溝槽結構MOSFET，以期獲得性能提升的同時，獲得更多的單位産出和更低的成本。
碳化硅功率器件五巨頭編年表，以及技術與供應鏈壁壘 （來源：01芯聞，Yole）
不止于此，五巨頭在各自擅長的領域建立了准入壁壘，包括意法的應用經驗和封裝，Wolfspeed的8寸制造能力，英飛淩和羅姆的溝槽柵設計，以及安森美的垂直整合，都意圖在未來仍然維持行業領導者的地位。
來源：
- Investors.st.com
- www.infineon.com/cms/en/about-infineon/investor
- investor.wolfspeed.com/overview/default.aspx
- www.rohm.com/investor-relations
- investor.onsemi.com
- Yole Développement，《Power SiC 2022》
- KnowMade，《Silicon Carbide (SiC) Patent Landscape 2022》
- 微信公衆號“碳化硅芯片學習筆記”
- SystemPlus Consulting，《SiC Transistor Comparison 2020》
- New Street Research，《PCIM 2022: SiC, SmartSiC, GaN, energy storage… Our take on latest trends in power semiconductors》
- Rohm，《ROHM at PCIM 2022: New power highlights and investments in SiC production capacities》
- onsemi，《NIO Selects High-Efficiency Silicon Carbide Traction Power Modules from onsemi》