與兩年前相比，三星3nm今年的關注度明顯降低，有其自身原因，更多的可能還是技術市場的風雲變化。
最近，台積電終于公開承認了自己的3nm計劃，並表示四月份將會公布具體技術細節。終于，半導體制造業這場決定未來制程走向的關鍵一役——3nm技術之戰還是來了。
迄今爲止，在3nm制程上，業內只有兩家公司具有此競爭能力，一家是台積電，另一家是三星。
其實在台積電之前，三星早已公布了其3nm工藝細節，也一直在3nm上呈現領跑態勢。最近它剛剛宣布自己已經成功研制出首款3nm工藝芯片的消息，采用的技術正是此前盛傳的GAAFET技術，並表示其在技術完成度上獲得了遠超預期的表現。
可以說，從公布的消息來看，相較于台積電，三星要靠譜的多。但有些出乎意料的是，三星方面的消息傳出來後，反響平平，似乎也沒有受到太多關注。
三星3nm計劃到底存在什麽問題？
圖 | 三星晶圓代工業務市場副總Ryan Sanghyun Lee
可以說，正是因爲對3nm保持著長期而巨大的投入，三星才能將成果推進到今天的量産前夜。而正如當時做成存儲的決心和毅力，三星在代工業務上的堅持其實有些超乎意料。
在2015-2016年期間，三星曾一度奪走了台積電不少大客戶的訂單，實現了收入的大幅度增長。後來盡管因爲智能手機衰退和台積電先進制程而導致銷售額下降，跌落到了全球第四的排名。但是三星仍然沒有絲毫放棄的勢頭，2018年初，在韓國首爾舉辦的三星晶圓代工論壇上，三星方面就對外表示，目標就是先超聯電和格芯，再超台積電。
從最近2019年第四季度統計的排名我們可以看出來，三星延續了前三季度的優勢，以市占率17.8%穩穩當當地占據了僅次于台積電的第二位，而排在第三的格芯僅有8%。
有分析表示，這些年爲了與台積電在爭奪先進制程工藝市場話語權方面，三星下足了功夫——投資、獨立代工業務、挖人等。而取得現在的成果，三星代工技術能力和客戶認可度的提升功不可沒。
相比較來看，雖然在現有市場台積電的地位難以撼動，但是在3nm技術上，僅僅有造廠的消息傳出，官方一直沒有對外透露更多，其3nm計劃看起來更“虛無缥缈”。
3nm GAA攻堅戰
因此回到三星3nm不受關注問題上，我們很難不去重新審視一下技術。
三星采用的是3nm GAA。
此前比利時微電子研究中心曾發表研究報告公開表示，環繞式閘極（GAA）電晶體將是未來最有可能突破7 納米技術以下FinFET工藝的“候選人”。
GAA晶體管在通道的所有側面都有一個柵極，用于克服FinFET的物理縮放比例和性能限制，包括電源電壓。與現在的FinFET Tri-Gate三柵極設計相比，GAA技術因爲重新設計晶體管底層結構，克服了當前技術的物理、性能極限，增強柵極控制，性能大大提升。
在該技術方向下，主要有納米線、板片狀結構多路橋接鳍片、六角形截面納米線和納米環技術四大主流方向，三星采用的是MBCFET（Multi-Bridge Channel FET），即板片狀結構多路橋接鳍片。
三星認爲主流的納米線GAA技術溝道寬度較小，因此往往只能用于低功率設計，並且制造難度比較高，因此沒有采用這種方案。
據三星介紹，它在其PDK設計中提供了四種不同的方案，可以在一顆芯片的不同部分使用，也可以直接用于制造整顆芯片。在性能方面，它與5納米制造工藝相比，3納米GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%，優勢明顯。
