從2018年末荷蘭ASML光刻機公司工廠的一場火災開始,中芯國際的光刻機進口之路開始波折起伏,其花費近8.2億購買的一台EUV深紫外光刻機,是否會延遲交付我們不得而知。但經過一整年時間,荷蘭出口EUV光刻機到中國的許可證由于到期,到現在也遲遲沒有續期,導致EUV光刻機交付進一步推遲。而中芯國際制造7納米芯片所用的關鍵設備,EUV光刻機則是重中之重,可以說沒有這台EUV光刻機,中國整個7納米半導體的研發進程將會受阻。難道中國趕超美韓高精度、先進半導體芯片的腳步將會止步于此嗎?
不同納米級的光刻機決定了芯片的制造精度其功能也受此影響
一根細絲千分之一的機內運行誤差,數萬個高精度部件,上千萬行計算機代碼共同構成了一個運行系統,這就是光刻機——被業內人士譽爲半導體行業皇冠上的明珠。芯片制造中最爲關鍵的一步就是光刻,其具體功能就是將設計師研發的芯片線路和功能區,通過光刻機的高精度運行,刻在一片圓形硅晶片面上,這些線路就是設計師所規劃的芯片運行指令。所以不同納米級的光刻機決定了不同精度芯片的制造。中國想要攻克7納米級芯片,必須首先研發出7納米級的EUV光刻機。
中國近日提前成功攻克了2納米芯片研發制造的關鍵技術
就在全球處于7納米芯片的進一步研發制造時,近日中科院成功攻克了2納米級芯片所需的關鍵技術——垂直納米環柵晶體管,爲今後我國2納米級半導體的研發提前打下了基礎,堪稱全球首創。從去年台積電攻克3納米環柵晶體管開始,中國首次在高精度芯片的技術研發上走在世界前列。2納米芯片的制造生産以及將于2024年投入,而此次2納米關鍵技術的攻克破冰,稱得上是意義重大。如果ASML公司的EUV光刻機能成功交付,相信中國的芯片研發制造定能走得更遠。