而中芯國際制造7納米芯片所用的關鍵設備，機則是重中之重，可以說沒有這台EUV光刻機，中國整個7納米半導體的研發進程將會受阻。
根據中芯國際對外公開的財報顯示，國內首條片生産線在上海已投入使用，中國14納米級芯片已經突破量産，而能耗下降20% 、性能提高10%的12納米級芯片訂單已經開始導入，各種現象表示中芯國際已經開始了下一代芯片半導體的研發進程。
不同納米級的光刻機決定了芯片的制造精度其功能也受此影響。所以不同納米級的光刻機決定了不同精度芯片的制造。中國想要攻克7納米級芯片，必須首先研發出7納米級的。
而目前中國擁有的光刻機精度僅能達到45納米，就連28納米級我們也正在研發當中，而EUV高精度光刻機的研發更上難上加難。荷蘭ASML公司早在20年前就啓動了EUV光刻技術的研發工作，而直到去年全球首款7納米EUV光刻機才正式投入商用。
中國近日提前成功攻克了2納米芯片研發制造的關鍵技術。
從去年台積電攻克3納米環柵晶體管開始，中國首次在高精度芯片的技術研發上走在世界前列。如果ASML公司的EUV光刻機能成功交付，相信中國的芯片研發制造定能走得更遠。