然而，盡管大陸地區海思和紫光上榜，但可以看到的是，高通、博通和美滿電子在中國區營收占比達50%以上，國內高端 IC 設計能力嚴重不足。可以看出，國內對于美國公司在核心芯片設計領域的依賴程度較高。
大陸高端通用芯片與國外先進水平差距主要體現在四個方面：
1）移動處理器的國內外差距相對較小。
紫光展銳、華爲海思等在移動處理器方面已進入全球前列。
2）中央處理器(CPU) 是追趕難度最大的高端芯片。
英特爾幾乎壟斷了全球市場，國內相關企業約有 3-5 家，但都沒有實現商業量産，多仍然依靠申請科研項目經費和政府補貼維持運轉。龍芯等國內 CPU 設計企業雖然能夠做出 CPU 産品，而且在單一或部分指標上可能超越國外 CPU，但由于缺乏産業生態支撐，還無法與占主導地位的産品競爭。
3）存儲器國內外差距同樣較大。
目前全球存儲芯片主要有三類産品，根據銷售額大小依次爲：DRAM、NAND Flash 以及Nor Flash。在內存和閃存領域中，IDM 廠韓國三星和海力士擁有絕對的優勢，截止到2017年，在兩大領域合計市場份額分別爲75.7%和49.1%，中國廠商競爭空間極爲有限，武漢長江存儲試圖發展 3D Nand Flash(閃存)的技術，但目前僅處于 32 層閃存樣品階段，而三星、英特爾等全球龍頭企業已開始陸續量産 64 層閃存産品；在Nor flash 這個約爲三四十億美元的小市場中，兆易創新是世界主要參與廠家之一，其他主流供貨廠家爲台灣旺宏，美國Cypress，美國美光，台灣華邦。
4）FPGA、AD/DA 等高端通用型芯片，國內外技術懸殊。
這些領域由于都是屬于通用型芯片，具有研發投入大，生命周期長，較難在短期聚集起經濟效益，因此在國內公司層面發展較爲緩慢，甚至有些領域是停滯的。
Si：主要應用于集成電路的晶圓片和功率器件;
GaAs：主要應用于大功率發光電子器件和射頻器件;
GaN：主要應用于光電器件和微波通信器件;
SiC：主要應用于功率器件
▲第二、三代半導體材料技術成熟度
細分領域已經實現彎道超車，核心領域仍未實現突破，半導體材料主要分爲晶圓制造材料和封裝材料兩大塊。晶圓制造材料中，硅片機硅基材料最高占比31%，其次依次爲光掩模版14%、光刻膠5%及其光刻膠配套試劑7%。封裝材料中，封裝基板占比最高，爲40%，其次依次爲引線框架16%，陶瓷基板11%，鍵合線15%。
日美德在全球半導體材料供應上占主導地位。各細分領域主要玩家有：
硅片——Shin-Etsu、Sumco，
光刻膠——TOK、Shipley，
電子氣體——Air Liquid、Praxair，
CMP——DOW、3M，
引線架構——住友金屬，
鍵合線——田中貴金屬、
封裝基板——松下電工，
塑封料——住友電木。
封測行業位于半導體産業鏈末端，其附加價值較低，勞動密集度高，進入技術壁壘較低，封測龍頭日月光每年的研發費用占收入比例約爲4%左右，遠低于半導體IC 設計、設備和制造的世界龍頭公司。
隨著晶圓代工廠台積電向下遊封測行業擴張，也會對傳統封測企業會構成較大的威脅。
2017-2018 年以後，大陸地區封測（OSAT）業者將維持快速成長，目前長電科技/通富微電已經能夠提供高階、高毛利産品，未來的3-5 年內，大陸地區的封測企CAGR增長率將持續超越全球同業。
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