來源：大比特商務網 作者：歐蕾伊
2019年全球半導體的不景氣現象被産業界譽爲“下行之年”，例如有受全球貿易波動、半導體元器件産品價格下滑、智能手機市場逐漸飽和等因素影響，全球半導體行業增速放慢，但進入二十一世紀二十年代後將會出現轉機，在全新化合物半導體供應鏈的驅動下，半導體産業可迎來全新的發展周期。
據數據顯示，化合物半導體2019年全球的産值約爲370億美元，約占整體半導體4500億美元産值的8%，這其中就包括了LED照明、微波功率放大器(PA)、高功率半導體元件等。由于5G網絡通信、3D人臉識別、激光雷達傳感器、電動車、物聯網、智能應用以及終端顯示屏Micro LED的推波助瀾之下，未來化合物半導體每年的成長率將在8%至10%，高于整體産業的平均值，所以化合物半導體産業是一個值得重視的成長領域。
日前，日本NTT集團旗下的實驗室研發了磷化锢(InP)化合物半導體制造的6G超高速芯片。據悉，該芯片在高速率表現中，僅以單一載波完成，意味著未來持續增加載波聚合數量的話，將能實現更高的傳輸速度，借此讓6G網絡傳輸速度與可使用頻寬可達5G網絡的40倍以上。當然，目前仍是從普及5G服務的層面出發，關于6G更多只是願景階段，畢竟各國對于5G之後的6G是什麽樣子都沒摸清楚。
由此可見，化合物半導體是當今推動人類網絡通信技術進步的關鍵基礎，化合物半導體一般包括有砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等，這些材料具有獨特的特征，能夠在網絡通信和功率器件市場擁有無可比擬的優勢，也會被越來越多的器件和産品所采用。
對此，國內亦都有半導體廠商在化合物半導體領域布局生産，其中包括有士蘭微、三安光電、中芯晶研等多個企業。
日前，士蘭微旗下的化合物半導體生産線項目主體廠房即將進入竣工驗收階段，砷化镓與氮化镓芯片産品都正式通線點亮。據資料顯示，項目總投資50億元，規劃建設兩條12英寸90~65nm的特色工藝芯片生産線和一條4/6英寸兼容先進化合物半導體器件生産線。主要産品包括下一代光通訊模塊芯片、5G與射頻相關模塊、高端LED芯片等産品。
三安光電方面，作爲國內化合物半導體晶圓代工的龍頭企業，早在2014年5月起，就正式涉足該領域，並同期實施建設30萬片/年砷化镓(GaAs)和 6 萬片/年氮化镓(GaN) 外延片生産線。
由于這些廠商過往都有LED芯片相關的産品經驗，所以能夠使投資者對其在化合物半導體的市場開拓提供信心支撐。
另外，再結合中美貿易戰的情況來看，一旦上遊供應鏈禁售，就能讓國內相關市場發展受到嚴重損傷，特別是目前化合物方面仍缺乏補充的狀態下，所以盡力發展本土供應鏈已經成爲迫在眉睫的事情。
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