NAND Flash層數競爭愈演愈烈，繼176層NAND之後，各大原廠瞄准200層以上NAND技術，其中美光科技率先突破，三星、铠俠等也在蓄勢待發。
NAND Flash進入232層時代
美國東部時間2022年7月26日上午9時，美光科技宣布推出全球首款232層NAND，該産品現已在美光新加坡工廠量産，它最初以組件形式通過美光旗Crucial英睿達SSD消費産品線向客戶發貨。隨後美光將發布其他産品和可用性公告。
△美光232層NAND，圖片來源：美光
與前幾代美光NAND相比，美光232層NAND具有業界最高的面密度，並提供更高的容量和更高的能效，從而爲客戶端到雲端等數據密集型用例提供一流的支持。
美光232層NAND技術提供了必要的高性能存儲，以支持數據中心和汽車應用所需的高級解決方案和實時服務，以及在移動設備、消費電子産品和PC上的響應式沉浸式體驗。
△美光232層NAND，圖片來源：美光
該技術節點能夠引入業界最快的NAND I/O速度—每秒2.4GB(GB/s) ，以滿足人工智能和機器學習等以數據爲中心的工作負載的低延遲和高吞吐量需求，非結構化數據庫和實時分析以及雲計算。這一速度比美光176層節點上啓用的最快接口快50%。
與上一代相比，232層NAND還提供高達100%的寫入帶寬和超過75%的讀取帶寬。這些單芯片優勢轉化爲SSD和嵌入式NAND解決方案的性能和能效提升。
美光表示，232層NAND是首款支持NV-LPDDR4的生産産品，這是一種低壓接口，與之前的I/O接口相比，每比特傳輸節省30%以上。因此，232層NAND解決方案爲數據中心和智能邊緣的移動應用和部署提供了理想的支持，必須在提高性能和低功耗之間取得平衡。該接口還向後兼容以支持舊控制器和系統。
232層NAND的緊湊外形爲客戶的設計提供了靈活性，同時實現了有史以來最高的每平方毫米TLC密度（14.6Gb/mm2），其單位儲存密度較目前市場上的TLC競品相比高出35%至100%。232 層NAND采用新的11.5mmx13.5mm封裝，其封裝尺寸比美光前幾代産品小28%，使其成爲市面上最小的高密度NAND。更小尺寸的更高密度可最大限度地減少用于各種部署的電路板空間。
原廠還瞄准500層以上NAND技術
NAND Flash 3D堆疊成爲主流技術，層數跨越176層、邁進232層之後，未來原廠將發力200層、300層、400層、甚至500層以上NAND技術。
美光方面，232層NAND不是該公司閃存技術叠代的終點，今年5月美光曝光的技術路線圖顯示，232層之後美光還將發力2YY、3XX與4XX等更高層數。
△美光閃存技術路線
美光之外，三星電子、西數、铠俠等原廠也在積極推進閃存層數叠代。
今年2月韓媒報道，三星電子將在2022年底推出200層或以上的第八代NAND閃存。業界透露，三星將在128層的單片存儲器上疊加96層，推出224層的NAND閃存。與176層相比，224層NAND閃存的生産效率和數據傳輸速度將提高30%。
今年5月西數對外表示，將與合作夥伴铠俠2022年底前開始量産162層閃存産品（BiCS6），未來兩家公司還將推出200層以上（BiCS+）的閃存産品，2032年之前還將陸續推出300層以上、400層以上與500層以上閃存技術。
△西數閃存技術路線圖
結語
大數據、雲計算等技術發展，持續提升NAND Flash需求，同時也不斷推動著NAND技術的升級和叠代，NAND Flash原廠層數競爭或將更加激烈。美光已經官宣232層NAND量産，未來誰將引領NAND Flash邁向更高層數時代？我們拭目以待。
文章來源：全球半導體觀察 奉穎娴