（報告出品方/作者：國聯證券，孫樹明，熊軍，葉鑫）

1.有源相控陣T/R組件及系列化射頻集成電路國內領先

1.1.股權結構清晰，發展脈絡清晰

國博電子産品主要包括有源相控陣 T/R 組件、射頻模塊、射頻芯片等，覆蓋軍用 與民用領域，産品市占率國內領先，是國內面向各軍工集團銷量最大的有源相控陣 T/R 組件研發生産平台。2000 年 11 月，上海華信集成電路有限公司成立；2006 年 11 月，公司名稱變更 爲南京南迪訊電子有限公司；2010 年 9 月，公司名稱變更爲南京國博電子有限公司。

從設立初期至 2013 年，公司開發生産的 2G 移動通信用射頻芯片開始進入相關設 備商的供應鏈。2014 年至 2017 年，公司研制了多款射頻控制類芯片、射頻放大類芯 片，成爲移動通信基站中射頻集成電路供應鏈中的國內領先企業。2018 年至今，公 司形成射頻放大類芯片、射頻控制類芯片、射頻模塊等系列産品，成爲國內主流通信 設備制造商基站射頻集成電路相關産品主要供應商。 2019 年，公司整合了中國電科 55 所微系統事業部，具備 100GHz 以下有源相控 陣 T/R 組件設計、開發、批産能力，極大提高了有源相控陣 T/R 組件産能，是國內有 源相控陣 T/R 組件的核心供應商。

公司控股股東爲中電國基南方集團有限公司，持有公司 35.83%股份；實際控制 人爲中電科，持有公司 55.46%股份。

1.2.整體經營狀況良好，板塊業務協同發展

公司近年來營業收入及歸母淨利潤保持增長趨勢。2019-2021 年，營業收入分別 爲 22.25/22.12/25.09 億 元 ，同 比 增長 29.05%/-0.59%/13.40% ； 歸母淨 利 潤 3.70/3.08/3.68 億元，同比增長 45.61%/-16.01%/19.46%。公司主要産品爲有源相控陣 T/R 組件、射頻模塊、射頻芯片等，覆蓋軍用與民用 領域。各板塊營收方面，與精確制導、雷達探測等領域相關的有源相控陣 T/R 組件板 塊在 2019-2021 年營收分別爲 13.43/14.22/16.91 億元，整體保持穩步增長狀態。與 移動通信基站等領域相關的射頻模塊板塊及射頻芯片板塊，營收近兩年來基本穩定， 2019-2021 年兩板塊合計營收分別爲 8.55/7.63/7.82 億元。

公 司 産 品 整 體 毛 利 率 保 持 平 穩 ， 2019-2021 年 整 體 毛 利 率 爲 32.69%/29.77%/34.68%。其中 T/R 組件板塊毛利率 35.11%/31.43%/36.15%；與移動 通信基站等領域相關的射頻模塊及射頻芯片板塊，整體法計算兩個板塊的毛利率， 2019-2021 年分別爲 29.51%/26.67%/30.29%。

公司有源相控陣 T/R 組件板塊，其營收占 2021 年總營收的 67.41%。有源相控陣 T/R 組件是在雷達或通信系統中用于接收、發射相應頻率的電磁波信號，並在工作帶 寬內進行幅度相位控制的功能模塊。T/R 組件一般由數控移相器、數控衰減器、功率 放大器、低噪聲放大器、限幅器、環形器以及相應的控制電路、電源調制電路等組成， 是有源相控陣雷達實現波束電控掃描、信號收發放大的核心組件。

公司射頻模塊板塊，其營收占 2021 年總營收的 17.54%。國博電子射頻模塊相關 産品主要包括大功率控制模塊和大功率放大模塊。其中，大功率控制模塊通常位于通 信系統的最前端，用于實現信號收發間的切換；大功率放大模塊的功能是實現基站發 射鏈路的信號功率放大，與功率控制模塊共同組成了基站發射鏈路射頻的最前端。公司射頻芯片板塊，其營收占 2021 年總營收的 13.63%。國博電子射頻芯片相關 産品主要包括射頻放大類芯片、射頻控制類芯片。其中，射頻放大類産品主要包括低 噪聲放大器和功率放大器，可滿足 2G、3G、4G、5G、WiFi 等移動通訊網絡應用；射 頻控制類芯片主要包括射頻開關和數控衰減器，産品廣泛應用于移動通信基站等通信 系統。

2.多因素促進T/R組件發展，5G建設拉動射頻器件需求

2.1.T/R組件技術叠代進步，應用範圍廣

2.1.1.技術叠代進步，T/R組件價格下降

指標繁多，原理複雜 有源相控陣雷達 T/R 組件（即收發組件）是有源相控陣雷達的核心部件，位于相 控陣雷達有源子陣射頻前端，主要包含收發兩個通道，完成發射信號到陣元的末級功 率放大和接收的前級放大，實現陣面的幅相修正和波束掃描等功能。

T/R 組件的功能包括産生和放大發射頻信號、放大接收信號、實現天線波束控制 等；技術指標包括工作頻率（包括發射激勵及接收本振、接收中頻）、工作體制、工 作比、相移位數、相移精度、發射間隔度、輸出射頻功率、輸出功率帶內起伏、上升 沿、下降沿、接收增益、總效率等。T/R 組件各項技術指標具體值的設定，由任務書 的總體要求分解獲得。T/R 組件隨系統性能要求各有不同，電路的具體設計也有很大差異，但一般由移 相器、射頻 T/R 開關、功率放大器、限幅器、低噪聲放大器、環形器以及控制電路組 成，可實現收、發狀態之間的快速切換。

T/R 組件對有源相控陣雷達發展影響巨大。T/R 組件的各方面指標都對相控陣雷 達技術的發展具有影響，其性能指標直接決定了相控陣雷達技術水平，其重量、體積 直接影響到雷達的小型化發展，而可靠性和成本決定了相控陣雷達的應用前景。 波段對有源相控陣雷達成本影響較大，通常情況下，雷達工作波段頻率越高， 成本也越高。通常，對具有一個接收機和一個高功率發射機的無源相控陣雷達，不同 頻率的相控陣天線成本差別較小，但發射機功率及成本差別卻非常大。對采用 T/R 組件的有源相控陣雷達而言，每個 T/R 組件包括自己的固態發射機、接收機、移相器、雙工器，頻率對于其成本影響更大。T/R 組件成本隨頻率增高而加大，而功率和效率 往往越差。

技術叠代進步，T/R 組件價格下降 。對于成本組成而言，不同規模、不同頻率、不同功率的有源相控陣天線的成本組 成不同，但統計數據可以看出其成本組成的基本情況。在實際工程中，有源相控陣天 線的成本中，T/R 組件的成本占比較高。

第三代半導體材料 GaN（氮化镓）開始廣泛應用，産品成本降低。砷化镓(GaAs) 單片微波集成電路制成的 T/R 組件已普遍應用于陣列天線中，技術相當成熟。隨著寬 禁帶半導體技術的進展，氮化镓(GaN)單片微波集成電路制成的 T/R 組件已開始用于 相控陣雷達中。通常情況下，相同體積的 GaN 集成電路的峰值功率相當于 GaAs 的 5～ 10 倍，平均故障間隔時間較長，同時成本降低 34%以上，效率高。能夠産生更強的輻 射功率，從而提高探測距離，減小體積重量，增強裝備的機動性和戰場生存能力；縮 短維修間隔時間，從而提高雷達的可用時間。

采用“瓦片”型 T/R 組件，減少相關産品成本。21 世紀初，T/R 組件從“磚塊” 發展到“瓦片”型，瓦式技術可以大幅減少印制電路板和連接器的數量，並能通過大 規模微波制造技術和封裝工藝使有源相控陣天線成本降低，體積、重量、成本都下降 爲“磚塊”的 1/5。

減少芯片數量、提高多通道集成度，降低芯片成本。在瓦式構架設計的基礎上， 有源相控陣天線可以通過減少芯片的使用數量、提高芯片的多功能和多通道集成度來 降低成本。通過在一塊芯片裏集成功率放大器、低噪聲放大器、射頻開關、移相器、 數字控制電路等，達到減少芯片數目、互連工序與連線、芯片電路面積等目的。一個 單片微波集成電路 T/R 組件往往包含多個 MMIC 芯片，通過 MCM 技術與分立器件集成 到基板上，最終封裝形成 T/R 組件。多功能芯片將多個單功能 MMIC 實現的功能集成 到一個芯片中，有助于 T/R 組件減小體積，降低成本。

根據《雷達技術發展綜述及多功能相控陣雷達未來趨勢》介紹，2007 年，T/R 組件發展到 4 側無引腳扁平封裝，體積下降爲“瓦片”型的 1/5、重量下降爲原“瓦 片”型的 1/20、成本下降爲“瓦片”型的 1/5；2008 年，從二維面板發展到三維面 板/集成電路，體積下降爲扁平封裝的 1/3、重量下降爲扁平封裝的 1/2、成本下降爲 扁平封裝的 1/2。 數字陣列相控陣天線技術的應用，有望降低相控陣雷達成本。通過將數字技術 與相控陣天線技術結合，在發射與接收模式下以數字波束形成(DBF)技術取代之前的 移相器、衰減器、波束形成網絡等，産生數字陣列相控陣天線。對于數千陣元的大規 模有源相控陣天線，如果波束掃描完全依賴于後端的數字處理機和軟件來實現，可以 降低上百萬的成本。

基于 MEMS 集成的工業化技術也可降低制造成本。MEMS T/R 組件在低功耗方面表 現突出，能減輕相控陣掃描陣列的散熱問題，延長其壽命。相比于傳統 T/R 組件，MEMS T/R 組件的插入損耗低，故僅需要一般相控陣中 25%～50%的 T/R 組件數量即可滿足天 線系統功能需要。

2.1.2.相控陣雷達T/R組件應用範圍廣

星載：起源早，口徑限制小，工作頻率逐漸變高。 最早將有源相控陣天線應用于星載的是于 1978 年 6 月美國發射的海洋衛星 SEASAT-1，自此，各國開始了對星載有源相控陣天線的研究。上個世紀 90 年代後期， 星載有源相控陣發展迅猛，美、俄、德、英、法等 12 個國家組成的歐空局相繼發射 了自己的有源相控陣衛星。

1994 年美國伴隨航天飛機升空的 SIR-C/X-SAR 雷達同時擁有 C 波段和 L 波段微 帶天線，以及 X 波段縫隙波導天線；其中 C 波段擁有 504 個 T/R 組件、L 波段有 252 個 T/R 組件。2002 年歐空局發射的地球環境檢測衛星阿裏亞納 5 號上搭載的有源相 控陣天線，共 2840 個天線單元及 320 個 T/R 組件組成。2007 年加拿大發射的 RADARSAT-2 衛星，天線工作于 C 波段，共有 10240 個天線單元，512 個 T/R 組件星載相控陣雷達中，T/R 組件作爲核心部分，一般要求體積小，重量輕的片式結 構，而且需要高的效率，以減少發熱量，因爲薄膜天線散熱困難。T/R 組件從最初的 分立元器件組合不斷發展，經過混合微波集成電路到單片微波集成電路，現在已可以 將多個器件集成在一個單片上，使得 T/R 組件體積小、重量輕、易于安裝。

我國對星載有源相控陣天線的研究起步較晚，但進展較快，“北鬥”系列衛星上 已有 S 頻段相控陣天線服役。近年來，我國已進行了星載 Ka 頻段有源相控陣天線子 陣以及部分樣機的研制，並進行了電性能測試及熱試驗。考慮到未來軍用星載市場規 模不斷擴張；我們估計未來五年我國星載有源相控陣雷達市場約 120 億左右，T/R 組 件市場約 60 億左右。

機載：逐漸推廣使用，發展迅速 。美國自 1964 年開始研究機載有源相控陣雷達，並在 20 世紀 90 年代初，在美國 第四代戰鬥機 F-22 上將 AN/APG-77 有源相控陣雷達成功進行了應用，使得有源相控 陣技術引入了機載火控雷達領域。AN/APG-77 天線陣面上有 1956 個 T/R 組件，每個 質量約 15g，輸出功率 4W，能夠快速改變雷達波束方向，達到幾十納秒級別，120° 方位和俯仰的掃描，搜索距離 160km。2005 年，裝備于 F-35 戰鬥機上的 AN/APG-81 進行了試飛，天線陣面僅包含 1200 個 T/R 組件，質量大幅降低；其功能包括高分辨 率地圖繪制、地面多目標跟蹤等。

技術優勢明顯，替換邏輯強。經過數十年發展，雖然脈沖多普勒雷達等傳統雷達 的性能得到了極大提升，但由于受到天線機械掃描速度和集中式大功率發射機的發射 功率和可靠性等因素的限制，傳統機載火控雷達的性能提升遭遇了衆多瓶頸。而有源 相控陣機載雷達在作用距離、波束賦形及功能滿足、高精度多目標跟蹤、電子戰及通 信能力、抗幹擾和低截獲能力、隱身需求等方面，都有著極其明顯的性能優勢；相控 陣由成百上千個 T/R 組件組成，少數單元失效對系統影響不大，可靠性大幅提升。

機載有源相控陣雷達相關型號産品可被多種機型所采用。根據《機載有源相控陣火控雷達技術》介紹，2008 年，雷神公司向波音公司交付了第 100 個 APG-79 有源 相控陣雷達，用于裝備 F/A-18 戰鬥機和 EA-18G 戰鬥機。雷神將向美海軍交付 473 部APG-79有源相控陣雷達，確定裝配的型號包括：F-15C、F-15E、F/A-18E/F和EA-18G； 國際用戶包括新加坡及澳大利亞，潛在客戶包括印度。

根據《World air force 2021》分析，2020 年底，我國軍機 3260 架，其中戰鬥 機 1571 架、運輸機 264 架、戰鬥直升機 902 架、教練機 405 架、其余軍機 118 架。 考慮到先進戰機的列裝，以及已有型號的升級改造需求迫切，有助于機載相控陣雷達 産業的發展；我們估計未來五年我國機載相控陣雷達市場約 130 億左右，T/R 組件市 場約 65 億左右。 彈載：天線口徑小，工作頻率較高，高成本制約發展。 彈載有源相控陣天線陣面安裝于導彈前端腔體內，通常爲圓柱狀。彈載有源相控 陣天線的陣面在體積、重量、可靠性、散熱、維護、儲存以及環境適應性等各方面要 求苛刻。

相控陣雷達導引頭具有合成功率大、掃描空域廣、掃描頻率高、作用距離遠、波 束寬度可調、抗幹擾能力強、多目標選擇跟蹤等優點；但發射功率、輸出能力、功率 損耗和低噪聲系數 T/R 組件的小體積集成等問題依然制約相控陣雷達導引頭工程化。

隱身戰鬥機出現，促進彈載相控陣雷達由機械掃描向相控陣雷達轉變。根據《相 控陣制導技術發展現狀及展望》報告，以第三代戰鬥機爲典型攻擊目標，末制導的作 用距離一般爲 15~20km，而 F-22A 爲代表的第四代隱身戰鬥機的出現，導致現役防空 導彈末制導作用距離下降到 3~4km，難以有效完成攻擊。以空空導彈爲例，早期的美 國 AIM-120 空空導彈和俄羅斯 P-77 空空導彈等現役裝備均采用了機械掃描主動雷達 制導系統。相控陣制導技術利用空間功率合成可實現大功率孔徑積，在較小體積約束 下實現高平均功率，規避了傳統雷達制導系統集中式大功率發射機的功率合成與大功 率傳輸等技術瓶頸，可使平均發射功率提高一個數量級以上，爲遠距離探測隱身目標 提供了基礎。考慮到導彈體積及載荷能力的限制，占用空間更小的相控陣雷達導引頭 成爲了新一代對空攔截導彈導引頭的發展趨勢。

彈載相控陣雷達天線口徑小，工作頻率較高。21 世紀初，通過 LCCMD 項目，雷 神公司提出了 ka 波段相控陣雷達導引頭方案，並于 2004 年完成了口徑 152mm 的導引 頭樣機。2003 年，英國奎耐特公司成功地進行了世界上首次相控陣雷達導引頭天線 的閉環試驗,其研制的Ｘ波段相控陣導引頭原理樣機在口徑 80mm 下布置了 19 個天線 單元。彈徑 178mm 的 Meteor 是歐洲導彈集團 MBDA 研制的一種新型超視距主動雷達空 空導彈，末制導段采用 Ku 波段的主動雷達導引頭。高成本是制約彈載相控陣導引頭工程應用的最大瓶頸。在相控陣天線生産成本 中，T/R 芯片成本所占比重最大；在實際工程應用重，不僅要考慮發射功率、噪聲系數、幅相控制方式、氣密封裝和體積尺寸等性能指標要求，還要考慮加工集成等工藝 和測試等低成本制造實現技術。

導彈是現代戰爭最重要武器之一，也是國防現代化的標志。在建設現代化國防及 加強軍隊武器裝備的過程中，發展導彈武器技術是一國的必經之路。考慮到全球範圍 內隱身戰機數量增多導致的防禦裝備升級需求，以及 T/R 組件降價導致的産品經濟性 強，彈載相控陣雷達産品有望持續推廣；我們估計未來五年我國彈載相控陣雷達市場 約 150 億左右，T/R 組件市場約 75 億左右。

2.2.基站建設持續發力，射頻器件需求穩定

5G 是具有高速率、低時延和大連接特點的新一代寬帶移動通信技術，5G 通訊設 施是實現人機物互聯的網絡基礎設施。5G 基站是 5G 網絡的核心設備，其提供無線覆 蓋，可實現有線通信網絡與無線終端之間的無線信號傳輸。 根據新華社報道，目前我國 5G 網絡基站數量達 185.4 萬個，終端用戶超過 4.5 億戶，均占全球 60%以上，全國運營商 5G 投資超過 4000 億元。根據《“十四五”信 息通信行業發展規劃》介紹，我國 2025 年信息通信基礎設施累計投資將達到 3.7 萬 億元，每萬人擁有 5G 基站個數將從 2020 年的 5 個增長到 2025 年的 26 個，增長速度 較快。

前瞻産業研究院認爲，2020-2025 年是 5G 建設第一階段，5G 基站建設以宏基站 爲主，2020-2024 年是 5G 宏基站建設的高峰期;2026-2030 年是 5G 建設第二階段，5G 針對垂直應用的建設以及小基站的擴容將一直持續到 2030 年，2025 年及以後是 5G 小基站建設的高峰時期。基站數量的穩步增加，可爲公司射頻器件及射頻芯片未來發 展提供保障。

3.技術能力強，手握訂單多

3.1.技術能力強，産品系列全

T/R 組件：定制開發數百款産品 公司定制開發了數百款有源相控陣 T/R 組件，産品體積小、重量輕、性能優越。 國博電子建立了設計、工藝和測試三大平台，並基于此開發了小型化、多功能化、低 成本的 T/R 組件和射頻模塊。公司整合中國電科五十五所微系統事業部有源相控陣 T/R 組件業務，構建起 X 波段、Ku 波段、Ka 波段等的 T/R 組件設計平台、高密度集 成及互連工藝平台以及全自動制造及通用測試平台，具備 100GHz 及以下頻段有源相 控陣 T/R 組件研制批産能力。公司基于高密度、高可靠工藝制造平台，已具備年産數十萬通道有源相控陣 T/R 組件制造能力，是國內面向各軍工集團銷量最大的有源相控陣 T/R 組件研發生産平台， 除整機用戶內部配套外，國博電子産品市場占有率國內領先。

射頻模塊：覆蓋場景多。國博電子射頻模塊主要包括大功率控制模塊和大功率放大模塊。其中，公司的大 功率控制模塊具有高功率、低插損、高隔離、高集成度等特點，可覆蓋不同應用場景 下的功率容量要求；公司的大功率放大模塊根據基站通信系統對功率放大器帶寬、功 率、效率、可靠性等不同指標的要求，開發了不同功率的大功率放大模塊，以滿足不 同應用場景下的需求。公司的大功率控制模塊和大功率放大模塊多項關鍵性能指標處 于國際先進水平。

射頻芯片：高集成度、高成品率。 國博電子射頻芯片主要包括射頻放大類芯片、射頻控制類芯片。射頻放大類芯片 方面，公司在相關領域有多年的技術積累，並針對 5G 基站的要求，展開核心技術的攻關工作，低噪聲放大器及功率放大器類産品廣泛應用于 4G、5G 移動通信基站中。 射頻控制類芯片方面，公司的射頻開關、數控衰減器具有高集成度、高成品率、高性 能等特點，主要電性能處于國際先進水平。

3.2.手握大額訂單，積極提高産能

公司手握大額訂單，未來長期業績有保障。公司 2022 年 7 月發布的招股說明書 中，披露 10,000.00 萬元以上正在執行的訂單，合同金額總計爲 49.73 億元，其中， 2021 年 9 月，公司與 A01 簽訂 T/R 組件業務合同，約定執行數量但未約定價格，按 照最新已執行訂單價格作爲執行價格預計該訂單金額約 40.90 億元。公司發布的招股說明書披露，公司擬募集 26.75 億元，其中 14.75 億元投入射頻 芯片和組件産業化項目，項目中的硬件設備購置及安裝投資額度爲 8.00 億元。公司 在已有的射頻芯片、微波毫米波 T/R 組件和射頻模塊産品的基礎上，進一步升級研發 射頻芯片、模塊和 T/R 組件領域相關技術，提高公司的研發生産能力。

3.3.T/R組件營收穩定增長，射頻模塊及芯片營收波動明顯

公司主要營收及毛利由有源相控陣 T/R 組件板塊貢獻。有源相控陣 T/R 組件相 關板塊 2021 年營收 16.91 億元，占總營收比例爲 67.41%；毛利爲 6.11 億元，2021 年占總毛利比例爲 70.26%。板塊 3 年營收 CAGR 爲 16.12%，營收增速較爲均衡。公司射頻模塊板塊近年來營收波動較大。射頻模塊相關板塊 2021 年營收 4.40 億元，占總營收比例爲 17.54%；毛利爲 0.99 億元，2021 年占總毛利比例爲 11.38%。 板塊 3 年營收 CAGR 爲 32.05%，但營收波動較大；近 3 年毛利率分別爲 47.61%/9.85%/22.49%。

公司射頻芯片板塊近年來營收逐步降低。射頻芯片相關板塊 2021 年營收 3.42 億元，占總營收比例爲 13.63%；毛利爲 1.38 億元，2021 年占總毛利比例爲 15.85%。 近三年營收增速分別爲 104.69%/-3.30%/-49.33%，近兩年營收呈現下降趨勢；近 3 年毛利率分別爲 25.44%/28.86%/40.33%，近兩年毛利率呈現上升趨勢。

4.盈利預測

營收方面，T/R 組件及射頻模塊板塊，我們假設未來三年其板塊營收增速可保持 在 23%-25%區間；射頻芯片板塊，營收近兩年來持續下降，我們假設未來其營收可 保持不變。毛利率方面，T/R 組件、射頻模塊板塊及射頻芯片板塊，參考 2021 年公 司各類産品毛利率進行取值。銷售費用、管理費用及研發費用占營收比例方面，參考 2021 年公司相應比例進行取值。基于上述假設，我們預計公司 2022-2024 年實現營業收入 30.42/36.54/44.08 億元，同比增長 21.24%/20.15%/20.62%，三年 CAGR 爲 20.67%；淨利潤 5.06/6.02/7.23 億元，同比增長 37.56%/18.81%/20.12%，三年 CAGR 爲 25.21%，EPS 爲 1.27/1.50/1.81 元/股。

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精選報告來源：【未來智庫】