近日，中芯國際(SMIC)以第三方口吻透露： 14nm工藝的良品率已經達到95％，並成功在2019年第三季度開始量産14nm FinFET。此外，中芯國際的12nm工藝已開始客戶導入(官方稱比14nm功耗降低20％、性能提升10％、錯誤率降低20％)，而下一代工藝的研發或直逼7nm。
而根據最新中芯南方集成電路制造有限公司(中芯南方廠)的官方消息來看，
這裏有國內第一條14nm工藝生産線，于2019年第三季度成功開始量産14nm FinFET，成爲中國內地最先進的集成電路生産基地。按規劃達産後，中芯南方廠將建成兩條集成電路先進生産線，月産能均爲3.5萬片晶圓。這意味著，中芯國際提前一年完成了國家賦予的重任。
當然，中芯國際在芯片研發進展上也並非一帆風順。比如在購進荷蘭ASML光刻機設備之時，就受到來自美國方面的阻撓。
ASML設備能夠使用由激光産生、由巨型鏡子聚焦的極紫外(EUV)光束，在被稱爲晶圓片的硅片上鋪設非常窄的電路。目前只有少數公司有能力生産最複雜的芯片，包括英特爾、三星電子和台積電。