合作將使用 Soitec 的 Smart Cut 技術和 IME 的試驗生産線來制造 200 mm 直徑的 SiC 半導體襯底
新加坡科學技術研究局 (A*STAR) 的微電子研究所 (IME) 和半導體材料公司 Soitec 宣布開展研究合作，開發下一代 SiC 半導體器件，爲電動汽車和先進的高壓電子器件提供動力。根據合作，雙方將利用 Soitec 的專利技術，如 Smart Cut 和 IME 的試驗生産線，制造直徑200毫米的SiC半導體襯底。
聯合研究將有助于開發一個整體的 SiC 生態系統，並提高新加坡和該地區的半導體制造能力。該研究合作計劃持續到 2024 年年中，旨在實現以下成果：
首先，開發用于 Smart Cut SiC 襯底的 SiC 外延和 MOSFET 制造工藝，在制造過程中減少缺陷並提高産量，從而生産更高質量的微芯片晶體管；其次，爲在 Smart Cut SiC 襯底上制造的 SiC 功率 MOSFET 器件建立基准，並展示該工藝與傳統量産襯底的優勢。
IME 執行董事 Terence Gan 表示：“A*STAR 的微電子研究所和 Soitec 之間的聯合研究是爲了利用創新技術開發下一代半導體器件，這得益于雙方在研發方面的深厚能力。”他補充道，“我們期待與 Soitec 合作，爲當地的研發生態系統和半導體行業不斷增長的 SiC 參與者增加價值。”
Soitec 首席技術官兼高級執行副總裁 Christophe Maleville 表示：“這是我們與新加坡微電子研究所合作並展示 SmartSiC 襯底可擴展到 200mm 的絕佳機會。鑒于這種材料令人興奮的潛力，此次合作爲開發先進的外延解決方案以生産具有節能特性的更高質量的 SiC 晶圓鋪平了道路。作爲這一新工藝的主要受益者，新加坡的半導體生態系統將有機會驗證通過我們合作生産的 SiC 晶圓的卓越能效。”
來源：CSC化合物半導體