（一）美國集成電路發展概況
美國是半導體技術的發源地。半導體産業建立之初主要爲了應對二次世界大戰，當時美國開始對電子和材料進行研發投入，這成爲半導體技術出現和發展的關鍵力量。二戰結束後，冷戰大幕逐漸開啓，半導體産業開始逐步發展，但主要目的仍在于支持國防業和宇航業，以確保美國國防部能獲得最先進的武器系統和宇航局擁有最精密的操作控制設備。60年代，軍用集成電路市場占比高達80%至90%。
此後，70年代至80年代大力推進的計算機技術成爲半導體産業的一個重要應用領域，這時越來越多的國家也開始意識到半導體産業的重要性，半導體技術從美國逐步擴散到日本、韓國、台灣等其他地區。這一階段日本半導體産業迅猛發展，一直穩坐IC産業世界第一的美國，因爲日本在DRAM上的大力趕超于1986年被拉下了寶座。DRAM之爭的戰敗給美國IC産業敲響了警鍾，美國半導體産業積極思變，投入大量資源于生産工藝技術（Process Technology）研發，提高本國半導體産業生産效率和産品良率；同時1987年美國半導體協會成立，同年美國國防部還牽頭與美國多家IC企業成立半導體制造技術産業聯盟（SEMATECH），促進元件廠與設備供應商的合作關系，加速半導體設備與材料的研發，和工藝標准化工作。此外，美國于1989年底組建了“國家半導體咨詢委員會”，從國家層面實現半導體産業的戰略轉型，放棄了競爭激烈DRAM芯片領域，重點發展微組件及LOGIC等附加價值高産品，形成本國半導體産業獨特的創新能力。
到上世紀90年代末期，美國以家用電腦和光纖通信爲核心的信息技術産業快速發展，帶動了計算機中央處理器、模擬器件和存儲器産品市場的快速發展，集成電路産品在民用市場開始大規模應用，2003年美國重新確立了在全球半導體市場的絕對主導地位。此後，隨著美國汽車工業醫療電子産業、先進制造業的不斷發展，美國半導體市場需求不斷擴大，産業綜合實力不斷增強。
美國之所以始終如一地重視以集成電路爲核心的半導體産業，正是看到了其在信息産業、國家安全，乃至整體國民經濟中基礎性、戰略性、引領性的重要地位。
目前，美國半導體産業依然擁有著48%左右的市場份額。在全球大多數國家的半導體市場當中，美國半導體公司所占有的市場份額一般都超過50%。根據美國半導體工業協會(SIA)最新統計數據，2017年全球半導體行業的銷售額達到4122億美元，是該行業有史以來最高的年度銷售額，比2016年增長了21.6%。
2016年全球半導體産業銷售額及各地區所占比例
2016年美國半導體企業在全球各地區市場占比
美國半導體公司（包括無晶圓廠）的研發和資本支出總額在2016年達到了569億美元。1996年至2016年期間，複合年增長率約爲5.3%。投資水平在銷售額中所占比例未受市場周期性波動的影響。研發支出對于半導體企業的競爭地位至關重要。無論年度銷售周期如何，美國半導體公司的研發支出持續走高，在過去的20年裏，每年的研發支出占銷售額的百分比已經超過了10%。這個比例在美國主要制造業中是前所未有的。技術變革的快速步伐需要不斷提高工藝技術和設備能力，美國半導體行業研發支出的比例是主要高科技行業中是最高的。
（二）歐洲集成電路發展概況
歐洲曾經是全球半導體産業的重要區域之一，市場份額曾占到全球的20%以上。而隨著全球經濟格局的變化及半導體産業的轉移，歐洲半導體産業已經失去了往日的輝煌，逐步趨向沒落與保守。近年歐洲半導體産業規模占到全球的10%左右，産業發展相對平緩競爭力有所減弱。
近年來，歐洲半導體廠商紛紛成爲被收購整合的對象，最爲典型的比如日本軟銀收購ARM，美國高通收購恩智浦。目前歐洲半導體技術的重點已經不再是CMOS技術，而是更關注衍生性技術以及超越摩爾定律(more than Moore)的解決方案。目前歐洲半導體産業擁有英飛淩、意法半導體、博世等老牌企業，在歐洲大陸也散落著一些獨具特色的半導體廠商，比如奧利地微電子（ams）、德國Dialog等。在半導體設備領域，歐洲擁有最先進的光刻機提供商ASML。在歐洲的比利時、法國、德國，還擁有IMEC、CEA-Leti、Fraunhofer Group等全球知名微電子研發機構。
歐洲半導體産業政策演變可大致分爲三個階段：第一階段是1965年前，除政府對與國防相關的R&D進行投資和在政府采購中偏向于本國生産商外，基本上不存在政府對半導體業發展的幹預行爲；第二階段，1965年至1975年，歐洲政府非常重視計算機行業，對半導體的科研給予了一些激勵措施，但政府的參與仍有相當的局限性；第三階段，自1975年之後，歐洲各國政府逐漸加大了對半導體産業的支持力度，政策重心更集中于信息技術包括微電子方面。由于歐洲國家小，人力資源、資金和物力分散，進入80年代後，歐洲通過聯合發展計劃，各國政府積極推動信息技術及半導體産業政府和企業的戰略合作，例如ESPRIT（歐洲信息、技術研究發展戰略計劃）是歐共體爲了集中成員國的財力、物力、人力，迎頭趕上美國、日本，改變美、日在信息領域的霸主地位而制定的一項競爭前的技術研究與發展戰略計劃該計劃爲期十年，共籌資金47億歐元，工作小組多數成員來自于産業界。JESSI項目（歐洲聯合亞微米硅倡議，1988-1996年）總投入30億歐元，由14家公司和研究結構發起，最終吸引了來自16個國家、190個機構、超過3000名的科學家和工程師共同參與。該項目使歐洲重新獲得提供先進集成電路的能力，還在全歐範圍內建立了有效的合作氛圍。此外，西歐各國政府還聯合向非歐洲的半導體制造商施壓，要求他們不能僅僅是在歐洲進行加工組裝業務，而是更多的設立設計與技術部門。其目標則是希望通過一系列措施，能加速歐洲半導體的技術創新，鼓勵歐洲內部各國半導體企業間的交流與聯系，從而在一定程度上保護歐洲本土的半導體核心技術以及生産競爭力。
– 歐美國家對中國集成電路發展的限制 –
（一）歐美國家對集成電路技術出口的限制
歐美國家爲保護半導體技術，制訂了一系列技術出口限制政策，而對中資的海外並購也制訂各項審查措施，如下表所示：
表 歐美國家對技術出口限制條款/法令
1、 “巴統”禁運貨單
巴黎統籌委員會（簡稱“巴統”）的正式名字是“輸出管制統籌委員會” （Coordinating Committee for Multilateral Export Controls） ，是1949年11月在美國的提議下秘密成立的，因其總部設在巴黎，是第二次世界大戰後西方發達工業國家在國際貿易領域中糾集起來的一個非官方國際機構，其宗旨是限制成員國向社會主義國家出口戰略物資和高技術。被巴統列爲禁運對象的不僅有社會主義國家，還包括一些民族主義國家，總數共約30個。
巴統有17個成員國：美國、英國、法國、德國、意大利、丹麥、挪威、荷蘭、比利時、盧森堡、葡萄牙、西班牙、加拿大、希臘、土耳其、日本和澳大利亞。
禁運貨單有4 類：Ⅰ號貨單爲絕對禁運者，如武器和原子能物質。Ⅱ號貨單屬于數量管制。Ⅲ號貨單屬于監視項目。中國禁單，即對中國貿易的特別禁單，該禁單所包括的項目比蘇聯和東歐國家所適用的國際禁單項目多 500 余種。
1994年4月1日，巴統正式宣告解散。然而，它所制定的禁運物品列表後來被《瓦森納協定》所繼承，延續至今。
2、瓦森納協定
《瓦森納協定》又稱瓦森納安排機制，全稱爲《關于常規武器和兩用物品及技術出口控制的瓦森納安排》 （The Wassenaar Arrangement on Export Controls for Conventional Arms and Dual-Use Good and Technologies），目前共有包括美國、日本、英國、俄羅斯等40個成員國。盡管“瓦森納安排”規定，成員國自行決定是否發放敏感産品和技術的出口許可證，並在自願基礎上，向“安排”其他成員國通報有關信息。但“瓦森納安排”實際上完全受美國控制。
與“巴統”一樣，“瓦協”同樣包含兩份控制清單：一份是軍民兩用商品和技術清單，涵蓋了先進材料、材料處理、電子器件、計算機、電信與信息安全、傳感與激光、導航與航空電子儀器、船舶與海事設備、推進系統等9大類；另一份是軍品清單，涵蓋了各類武器彈藥、設備及作戰平台等共22類。中國同樣在被禁運國家之列。
當“瓦森納安排”某一國家，擬向中國出口某項高技術時，美國甚至直接出面幹涉，如捷克擬向中國出口“無源雷達設備”時，美便向捷克施加壓力，迫使捷克停止這項交易。
在美國的操縱下，1996年7月，以西方國家爲主的33個國家在奧地利維也納簽署了《瓦森納協定》，決定從1996年11月1日起實施新的控制清單和信息交換規則，33個成員國如下：澳大利亞、比利時、加拿大、丹麥、法國、德國、希臘、意大利、日本、盧森堡、荷蘭、挪威、葡萄牙、西班牙、土耳其、英國、美國（以上17國爲原“巴統”成員國）、阿根廷、奧地利、保加利亞、捷克共和國、芬蘭、匈牙利、愛爾蘭、新西蘭、波蘭、羅馬尼亞、俄羅斯、斯洛伐克、韓國、瑞典、瑞士，烏克蘭。
“安排”規定，申請加入“安排”的國家須滿足以下條件：一是爲武器或工業設備的生産國或出口國；二是遵守三大防擴散集團性制度（“核供應國集團”、“導彈及其技術控制制度”和“澳大利亞集團”）的不擴散政策，控制清單或准則，並遵守三大公約（《不擴散核武器條約》、《禁止生物武器公約》和《禁止化學武器公約》）；三是實行完全有效的出口控制制度。很不幸，中國又在這個被限制的國家之中。
《瓦森納協議》嚴重影響著我國與其成員國之間開展的高技術國際合作。在中美高技術合作方面，美國總是從其全球安全戰略考慮，並以出口限制政策爲借口，嚴格限制高技術向我國出口。中美兩國雖然在能源、環境、可持續發展等領域科技合作比較活躍，但是在航空、航天、信息、生物技術等高技術領域幾乎沒有合作。
《瓦森納協定》中和半導體、集成電路相關的主要是第三部分——“Electronics”和第六部分“Sensors and Lasers”，當然第四、五部分（“Computer”和 “Telecom & Info Security”），可以看作是集成電路的系統級驗證。2016年4月4日，“瓦森納安排”公布了最新版本的兩用物項和技術清單和軍品清單。
舉例來看，受限于《瓦森納協定》，全球光刻機龍頭制造商ASML爲一家荷蘭企業，荷蘭也屬于瓦森納協議框架的締約國之一。瓦森納協議的限制清單會與時俱進不斷更新，高端的光刻機ASML不能賣給中國，從而制約了先進制程工藝的開發。中芯國際成功和IMEC合作實現14nm工藝，這已經將中國的晶圓代工工藝推向了一個全新的國際水平。而將時間推回到2011年，當時的全球半導體前15大設備供應商，他們當中全部都是受到瓦森納協定限制的，中芯國際就買不到最先進的制造設備。和比利時微電子研究中心（IMEC）的合作就是曲線救國的一種方式。IMEC先從ASML應用材料買設備，用完5年後符合瓦森納協議要求就可以轉賣給中芯國際。
台積電是名列北約技術封鎖同盟——瓦森納協定體系的清單之中，，台積電的制程技術未經美國允許，不得向其他企業、國家、機構出讓，甚至連台積電在海外設置晶圓FAB都要按照瓦森納協議條款審核。比如台積電在南京獨資設立的16nm制程12英寸晶圓廠，也受到了美國的百般阻撓，最終以當時的執政黨在立法院的優勢，困難重重地通過了南京晶圓廠的投資國會審核。不止台積電，包括三星、英特爾在內的半導體三巨頭均受到瓦森納協議框架的約束。
3、美國對華高技術出口限制
現行美國出口管制政策主要由兩大部分組成。第一部分主要管理軍用項目，即軍火和防務技術、武器、産品和服務的輸出。《武器出口控制法》是管理該項目出口管制的主要法律。這類項目的審批主要由國務院負責。第二部分管理民用部分，重點是所謂的“兩用”項目，即既可以用于民用目的，也可以用于軍用目的的技術和産品的出口。
“兩用”出口管制的法律基礎是1979年頒布的《出口管理法》（EAA，P.L. 96-72）。由于《出口管理法》已于2001年8月過期，目前“兩用”出口管制的法律基礎是《國際突發事件經濟權力法》（IEEPA，P.L. 95-223）對美國總統在突發緊急情況下的特殊授權，但《出口管理法》中的相關規定仍然適用。負責“兩用”出口管制的是美國商務部下屬的産業和安全局（BIS）。爲執行“兩用”出口管制，美國商務部頒布了《出口管理條例》（EAR，15 CFR 730-774），其中包括《商業管制目錄》（CCL）。《出口管理條例》是研究美國“兩用”出口管制最重要的法律文件。
《出口管理條例》對于“出口”的定義很寬泛，即使是雙邊投資中的技術合作都有可能觸犯“出口”管制的規定。因此，《出口管理條例》建立的“兩用”出口管制制度的潛在影響遠超國際貿易領域。
軍民兩用品清單主要包括10個大類，分別爲：①核材料、設施政策與設備；②材料、化學、微生物、生化毒素；③材料處理技術；④電子技術；⑤計算機技術；⑥通訊與信息安全技術；⑦傳感與激光技術；⑧導航或航天技術；⑨海洋探測技術；⑩推進系統、空間探測技術及相關設備。
兩用品管制清單基本上與“瓦森納安排”的9類平衡，但增加了核材料、設施及設備；包括了“澳大利亞集團”清單中的材料、化學、微生物、生化毒素。“商品管制清單”共有472個出口管制分類編號、約2400個物項，其中有158 個出口管制分類編號與“瓦森納安排”的管制清單中的物項相同；有97個出口管制分類編號與“核供應國集團”的管制清單中的物項相同；有108個分類編號與“導彈及其技術控制制度”管制清單中的物項相同；有16個分類編號與“澳大利亞集團”的管制清單的物項相同。美國單邊控制是139個物項。根據美國商務部《出口管理條例》的規定，以上管制清單內的産品或技術出口都要事先向商務部申請出口許可證。
2015年5月5日，美國商務部産業與安全局（BIS）發布聯邦紀事公告，宣布修改《出口管理條例》（EAR），將總統確定不再納入軍品清單（USML）第12類的測距儀及消防、光學、制導與控制設備納入商業管制清單（CCL）的“600系列”。
4、歐洲對華技術出口限制
（1）《歐盟兩用品出口管制條例》
2015年10月12日，歐盟委員會批准更新《歐盟兩用品出口管制條例》（EC No.428/2009）的管制清單。此次更新基于2014年多邊出口管制機制的管制清單變化，共涉及100余個品目修改，目的旨在符合國際安全義務、提高政策透明度、維護歐盟出口行業競爭力和便利出口管制部門管理。此次清單更新的主要內容包括：一是加強了對機床、航空技術、飛機折疊翼系統、宇航設備和民用無人機等相關産品的管制；二是取消了相關加密信息安全産品的管制。
（2）歐盟《1334號法令》
歐盟理事會在2000年通過了《1334號法令》，將《瓦森納協定》的機制貫徹到歐盟高科技出口貿易方面，歐盟《1334號法令》確定的控制出口清單同《瓦森納協定》沒有太多區別。《1334號法令》共8章22條，規定了出口控制的範圍，主管部門，控制物項的變更、海關程序，行政合作和控制措施等，該法令規定附有軍民兩用品和技術清單，涉及核材料、技術與設備；材料、化學品、“微生物和有毒物品”；材料處理；電子；計算機；電信和“信息安全”，傳感和激光；導航與電子；船舶；推進系統、航天器及 其相關設備等共10大類。對于不在清單上的項目，如果被認爲與核、生、化武器的生産、儲存、試驗、操作、維護等有關，或接受國正接受武器禁運，也必須取得授權。這項法令後來經過多次修訂，目前成爲對華高科技出口管制的主要“指導性文件”。
（3）歐盟與《瓦森納協定》
歐盟27個成員國中已有21個簽署了《瓦森納協定》。《瓦森納協定》雖然允許成員國在自願的基礎上對各自的技術出口實施控制，但實際上成員國在重要的技術出口決策上受到美國的影響。
中歐高技術合作受制于美國。由于美國是全球唯一的超級大國，歐盟及其成員國在各方面都會受制于美國，特別是在中歐高技術領域的合作，而《瓦森納協議》正是歐美共同戰略利益和政治理念的鮮明體現。2004年，捷克政府曾批准捷克武器出口公司向我國出售10部總價值爲5570萬美元的“維拉”雷達系統，但在美國的壓力下，取消了這一合同。2006年，我國與意大利阿萊尼亞空間公司曾簽署了發射意衛星的合作協議，但由于美國的幹預，意方不惜經濟和信譽損失而最終取消了合作協議。
（二）近兩年美國對中國集成電路發展的限制動作
自2016年起，美國政府加強了對于中國半導體産業發展的限制，包括在貿易、知識産權及投資並購審查等領域。
1、美國總統科學技術咨詢委員會的建議
2017年1月6日，美國總統科學技術咨詢委員會（President’s Council of Advisors on Science and Technology，簡稱PCAST）發表了名爲《確保美國在半導體行業長期領先地位》（Ensuring Long-Term U.S. Leadership in Semiconductors）的報告。在詳細介紹半導體産業的全球現狀之前，委員會在報告裏面寫了一封給美國第44任總統奧巴馬的信。在報告中提到，中國的半導體的崛起，對美國已經構成了“威脅”，委員會建議政府對中國半導體産業加以限制。
該報告提報告是由半導體工作組內的相關行業領袖、傑出研究員和曾經的政策制定者擬定的，並由PSAST審核並通過。報告主要是談及半導體産業在創新、競爭和安全方面面臨的挑戰和機會。
簡要內容如下：
半導體是現代生活的重要組成部分，在半導體領域取得的進展已經將機基于其打造的設備和服務提升到一個新的階段。與此同時，還開拓了很多新的業務模式和産業，爲美國相關從業人員與消費者帶來了巨大的收益，對促進全球經濟的發展也産生了重大的影響。我們也要明白到，尖端的半導體技術對于美國的國防系統和軍隊實力來說，也是重要的保證。無處不在的半導體使得我們還同時面臨了網絡安全的風險。
但現在，美國半導體的創新、競爭及其完整性正在面臨重大的的挑戰。由于材料、設備和技術本身的限制，市場的速度變化，半導體創新的步伐已經放緩。加上現在中國正在打造半導體産業鏈帶來的擔憂。他們使用政府主導的數千億美元基金在全球瘋狂並購，在國內建設，會給美國帶來重要的威脅。
該報告的核心是：只通過在尖端科技的持續創新，可以減緩中國半導體帶來的威脅並能促進美國經濟的發展。
因此本報告精心制定並推薦了三個重點策略保持美國半導體的領先：
抑制中國半導體産業的所謂創新；
改善美國本土半導體企業的業務環境；
推動半導體接下來幾十年的創新轉移；
爲將這些影響放到最大，那就需要政府、産業界和學術界通力合作。
2、美國對中國重啓301調查針對半導體領域
2017年8月14日，美國總統特朗普簽署總統備忘錄，正式授權美國貿易代表萊特希澤就中國有關法律、政策、實踐或做法可能不合理或歧視性地損害美國知識産權、創新或技術發展展開調查。2017年8月18日，美國貿易代表辦公室在其官網發布聲明，宣布根據《1974年貿易法》第301條，啓動對中國的調查，以裁定中國有關技術轉讓、知識産權和創新的法律或政策是否對美國企業造成歧視。
本次301調查的正式名稱是：“301調查：中國有關技術轉讓、知識産權和創新的法律、政策和做法”，其中提到的四項調查內容包括：中國政府是否強迫美國企業轉讓技術；是否削弱美國企業在華技術談判能力；是否直接或不公平地幫助中國企業收購美國先進技術與知識産權；是否非法侵入商業機密等。
301調查在第一章中，重點針對了中國對于國外知識産權和技術的引進、吸收和再創新的過程，其中一個重要的舉例便是集成電路，並提到了中國集成電路領域的多項産業政策如”集成電路産業十二五發展規劃”、”國家集成電路産業發展推進綱要”等等。
其次，301調查報告的第二章”中國對在華美國公司的不公平技術轉讓制度”部分，援引了美國商務部和國土安全局對美國集成電路産業的調查報告，稱”25家美國集成電路公司稱，他們爲發展中國市場不得不與中國實體組成合資企業，並轉讓知識産權，2017年這些公司的總銷售額超過了250億美元”。
第三，301調查報告的第四章”對外投資”部分。列舉了中國的”走出去”戰略，其中便重點強調了在多項國家級政策支持下，集成電路領域的境外收購和出海戰略。並且重點分析了清華大學（紫光集團）的北京，以及參與幾項收購案例，如美光、Western Digital等。同時，在報告此章節提出了”國家支持的基金和投資公司的出現是中國金融業的一個重要新特征”，並將國家集成電路産業基金作爲了典型案例。最後，報告列舉了幾項中國在美國集成電路領域的投資，如集創北方收購iML，亦莊國投收購Mattson，以及ISSI並購案等。
3、美國337調查2017年涉中企業居高位
337調查，是指美國國際貿易委員會（United States International Trade Commission）根據美國《1930年關稅法》（Tariff Act of 1930）第337節及相關修正案進行的調查，禁止的是一切不公平競爭行爲或向美國出口産品中的任何不公平貿易行爲。
美國總統特朗普上台以來，以“美國優先”、“制造業回歸”爲口號，大肆推行保護主義，而在此大背景下，2017年，美國337調查案件保持高位。2017年涉及中國企業的337調查立案數量達到22起，是中國加入WTO以來最高的一年。機電産品仍占比最高。根據調查案件表明，中美知識産權之爭集中在電子行業、半導體及醫療設備等領域。
4、特朗普政府宣布對中國進口商品加征關稅
2018年3月22日美國總統特朗普簽署總統備忘錄，依據“301調查”結果，將對從中國進口的商品大規模征收關稅，並限制中國企業對美投資並購。
美國貿易代表辦公室將在15天內制定對中國商品征收關稅的具體方案。同時，美國貿易代表辦公室還將就相關問題向世界貿易組織起訴中國。此外，美國財政部將在60天內出台方案，限制中國企業投資並購美國企業。
中美兩國目前正在舉行磋商，談判過程中，特朗普政府高級官員要求中方降低進口汽車關稅，允許外資持有金融服務公司多數股權，並購買更多美國生産的半導體産品。
中美貿易中半導體在其中扮演著非常重要的角色，雖然美國占中國半導體進口總額不大，但中國高度依賴自美進口半導體芯片産品與相關設備，同樣，美國多家半導體企業對中國市場的依賴度非常大。
5、美國外商投資委員會阻撓中國半導體海外並購
美國外商投資委員會（CFIUS）是一個機密的多機構委員會，由CFIUS是美國財政部主導的跨部門審查機構，由國防部、國土安全部、司法部、商務部、國務院、能源部、貿易談判代表辦公室，以及經濟顧問委員會、科學技術辦公室、管理及預算辦公室等核心政府機構組成，負責在國家安全層面評估跨國交易，以確定外國在美投資交易對國家安全是否存在潛在影響。CFIUS經常會以國家安全爲由對海外並購予以阻止。
2017年11月8日，共和黨參議員John Cornyn提出《外商投資風險評估現代化法案》（FIRRMA），該法案旨在擴大CFIUS的管轄範圍，也更新了CFIUS關于“關鍵技術”的定義，即美國在國防、情報或其他國家安全領域對特別關注國維持或擴大技術優勢至關重要的其他新興技術，或是獲得對此類國家尚不存在技術優勢領域的優勢技術，都在“關鍵技術”的範疇裏。另一方面，法案也爲CFIUS增加了一項新的免責條款。如果外國投資者都來自符合某些標准的國家，比如美國的條約盟友，FIRRMA就可以免除對這些交易的審查。
在中資收購美國企業的案例中，CFIUS以國家安全爲由否定交易。近兩年在半導體領域的案例尤其明顯，主要案例如下：
2016年1月，金沙江投資擬33億美元收購飛利浦LED芯片公司Lumileds股權，因CFIUS反對而失敗。
2016年2月，美國仙童半導體公司(Fairchild Semiconductor)拒絕了華潤微電子有限公司和清芯華創投資管理有限公司聯合提出的收購要約，因擔心CFIUS可能以擔憂國家安全爲由拒絕批准交易。
2016年2月，紫光集團旗下紫光股份宣布終止收購西部數據15%的交易，因CFIUS審查而失敗。
2016年12月，中國宏芯投資基金對德國設備企業愛思強在與德方商務談妥的情形下，收購遭到美國CFIUS否決。
2017年9月，並購基金Canyon Bridge Capital Partners13億美元並購美國芯片企業Lattice Semiconductor遭否決。
2018年2月，湖北鑫炎股權投資合夥企業欲5.8億美元收購美國半導體測試公司Xcerra，因遭受CFIUS國家安全審查而終止，CFIUS以“使用Xcerra設備的芯片制造商屬于美國政府和軍方供應鏈的一部分”爲由阻止了這筆交易。
2018年3月，在博通高價收購高通複雜的案件仍充滿變數時，尚未正式開始時，美國CFIUS以將影響美國國家安全爲由對此案進行調查。CFIUS已向高通發布臨時禁令，要求高通推遲將于3 月6日召開的年度股東大會，同時延後董事會成員選舉30天，以便CFIUS能夠有充足的時間全面調查博通欲收購高通一事。CFIUS認爲該收購案將會影響到高通在5G通信領域的競爭力，因爲華爲正在積極參與5G標准的制定，而如果因爲被收購而影響到高通在通信領域的領導角色，則可能對美國構成威脅。最終，美國總統特朗普發布命令，禁止博通按原計劃收購高通。
（三）近兩年歐洲對中國集成電路發展的限制動作
歐洲在限制其它國家集成電路産業發展的政策法規方面，一直延續歐盟理事會在2000年通過的《1334號法令》，將《瓦森納協定》的機制貫徹到歐盟高科技出口貿易方面，內容涵蓋了核技術、材料、電子、計算機、傳感與激光、推進系統、船舶、導航與電子等十個方面的高新技術成果。近年歐盟並未出台新的限制中國集成電路發展的政策法規。但是隨著中國並購整合歐洲半導體企業的案例趨多，歐洲有些國家如德國、法國及意大利，開始加強對于外國投資的監管。
1、德國政府出台限制外國投資新規
2017年7月，德國聯邦政府通過了一項加強監管外國投資新規。旨在防止本國具有戰略重要性的企業出售給外國投資者。新法規將並購調查範圍延伸到包括提供戰略性産業服務或軟體的企業，這些産業包括電網、核電廠、水公司、電信網、醫院）及機場等。生産或開發“關鍵技術”而列入審查的國防企業，涵蓋範圍也比先前更加規範。根據新規，如果並購涉及所謂的“核心基礎設施”即被認爲是“對公共秩序的威脅”，德國政府就可以出手阻止並購。此外，德國政府評估這些並購交易的時間也將從兩個月增至四個月，新規定無需經過國會審批，很快可以生效。
此次新規主要針對非歐盟國家。如果這些國家的企業想要收購一家德國企業超過25%的股權，又涉及“關鍵基礎設施”領域的運營，德國聯邦經濟事務與能源部將對此類收購進行國家安全審查，並有權否決相關交易或對其提出限制條件。此舉在于阻止外資，尤其是中國資本收購德國企業，防止重要技術外流。
2、德意法欲建立歐盟版CFIUS
2017年8月，德國聯合法國和意大利致信歐盟委員會，要求其擴大目標企業所在的成員國對外資並購的否決權。信件要求，如果相關投資受到國家鼓勵、得到本國政府提供的補貼或者以不切實際的價格進行交易，歐盟國家就應該拒絕這樣的企業收購或提出附加條件。其中對“國家支持、政府補貼和戰略性的投資限制”被再三強調，其對于中資並購技術類産業的針對性可謂非常明顯。
歐盟方面則對于擁有更多的監管權並不拒絕。然而在有關到底要不要建立一個歐盟版的外國投資委員會（CFIUS）的問題上，爭議始終存在。
歐盟28國中，目前只有13個國家對海外投資設置了審查體系，雖然以德意法爲代表的國家堅持認爲歐盟應當建立一個能阻止交易的體系，但北歐一些國家堅定支持自由貿易主義，反對任何形式的投資審查，而南歐一些國家則擔心審查制度的收緊會妨礙對本國的投資。
雖然歐盟版CFIUS遭到了北歐和一些南歐國家的激烈反對，暫時無法實現，但德意法等國已率先開始收緊外資並購政策。而歐盟層面，亦希望能推動統一歐盟的外國投資審查標准，目前的難題是，究竟只是出台規則，還是推動新的立法。
– 歐美國家對集成電路發展的考慮及行動 –
（一）美國政府集成電路産業政策扶持曆程
縱觀美國半導體産業發展的60多年，可以清晰看到美國政府在産業發展中的巨大作用。在産業初創期，主要以政府扶持爲主。在産業成長期和成熟期，采取的是開放促競爭的政策，政府進行宏觀調控。通過制定一系列的法律法規保證産業的正常發展，通過證券交易市場爲産業提供發展資本等。根據美國半導體産業發展史，政府主要是在政策支持、資金保障、需求創造、組織管理與産業協調、創造良好外部環境五大方面對産業進行扶持。
美國集成電路産業不同發展階段所采取的核心政策
1、政策支持
70年代前，美國沒有明顯的産業政策，主要是通過産業組織政策反對壟斷，但是在經曆了70年代的經濟萎縮後，美國開始注意研究政府在經濟發展中的作用，特別是面對日本的迅速崛起與競爭，美國采取了一系列特殊的稅收優惠政策，刺激企業不斷增加對R&D的投入，美國國會也通過一系列法案，進一步挖掘聯邦開發計劃的商業潛力，建立政府與民間的合作關系，提高美國的競爭力。
（1）法律制度建立
圍繞促進科技創新活動、保護科技創新成果、強化科技成果轉移，美國建立了涵蓋廣泛、較爲完善的科技法律制度體系。該體系以《貝爾-多爾法案》爲核心，包含1980年《聯邦技術轉移法案》、1982年《小企業創新發展法》、1983年《關于政府專利政策的總統備忘錄》、1984年《專利與商標法修正案》、1989年《國家競爭性技術轉移法》、1998年《技術轉讓商業化法》、1999年《美國發明人保護法》、2000年《對發明推廣者申訴的臨時規章》和《技術轉移商業化法》等一系列法律法規，以及其他相關聯邦政府行政命令。另外，美國還制定和實施嚴格的《反壟斷法》，以保護競爭、反對壟斷，確保其科學研究與發展充滿活力。
（2）稅收優惠
研發費用稅收減免：美國稅收法典規定了研究開發費用可由公司自行選擇一次性扣除或作資本化處理，並實行研發費用減稅制度。早在1954年美國稅收法典就規定了R&D費用可由企業選擇一次性扣除或作資本化處理；1981年又實行了R&D費用增長減稅的優惠，即公司當年發生的R&D費用若超過前3年平均數，則超過部分的20%可在當年應納稅額中抵免。2015年美國將“企業研發稅收抵免”由周期性變爲永久性以鼓勵企業加強長期研發。
另外一方面，美國爲了鼓勵企業應用研究和基礎研究的有機結合，規定公司委托大學或科研機構進行基礎性研究，根據合同所支付的研究費用的65%可從所得稅中抵免。
促進風險投資的稅收支持政策：美國爲促進企業風險投資，在修改《國內稅法》時規定投資者對小型企業投入2.5萬美元以上的，允許從收入中沖銷投資帶來的資本損失，從而減輕投資者的稅收負擔。同時美國爲了鼓勵民間投資，在1978年降低了投資收益稅率，從49%降爲28%。1981年將投資收益稅再度降低到20%。該法明確只對法律上具有獨立主體資格的公司征收公司所得稅，而對不具有法人資格的公司僅征收投資人的個人所得稅，而不征收公司所得稅。因此從稅收負擔上有限合夥制的風險投資企業比公司制的風險投資企業低得多。1981年美國在《股票期權鼓勵法》中規定，准許將股票選擇權作爲對風險投資家的報酬，並將納稅環節由行使選擇權時推遲到股票出售時，即只有出售股票時才課稅，取得股票期權時不需要繳稅。
在投資抵免方面，美國規定企業用于技術更新改造的設備投資可按其投資額的10%抵免當年應繳所得稅，而企業購買其他的資本設備，法定使用年限須在5年以上，才可享受10%的抵免率，若法定使用年限不到5年，抵免率則爲6%。
（3）人才培養與引進
美國政府高度重視通過教育發展，提高國民整體素質，爲科技創新提供強大後備力量，其高技術發展規劃和政策將教育擺在首位，公共教育支出總數在政府支出中一直保持較高比例，在主要創新型國家中位居前列，2007年該比例爲14.1%，盡管受金融危機影響，2008年這一比例仍達到13.8% 。政府各部門還設立各種專門計劃培養高層次人才，如美國海軍的“青年研究員計劃”，美國家科學基金會設立的“總統青年研究獎”，等。爲吸引世界各國優秀人才，美國長期執行有效的移民政策，實施靈活的專門爲吸收外國人才的H-1B簽證計劃，並通過建立自由寬松的學術氛圍、提供豐富的信息資源等營造集聚世界優秀科技人才爲之服務的良好環境。
2、資金保障
研發資金支持：二戰以來，美國開始大規模支持科技研發，研發經費不斷增加，從1947年的5億美元增加到2009年的1471億美元，在發達國家中，美國每年投入的研發經費最多。在過去十余年中，美國研發費用占其GDP的比重基本上一直保持在2.6%～2.8%。奧巴馬上台後，美國政府將爭奪經濟科技制高點作爲戰略重點，提出將研發投入進一步提高到GDP的3%這一曆史最高水平。
在集成電路産業，自從上世紀50年代，美國聯邦政府就專門成立了集成電路創投研發資金，該項目的啓動資金當時僅爲10至35萬美元。到1967年，該研發資金政府投入已經接近百萬美元。從1967年至1987年，美國聯邦政府爲集成電路産品的研發資金已經提高至了6000萬美元，而到1993年，該項投資規模已經達到了7.5億美元。除了政府提供專門的研發資金，美國自上世紀50年代開始就以國家的名義爲國內各大企業投入巨資，用于集成電路尖端領域的研發工作。而在上世紀90年代末，以英特爾爲代表的公司抓住了國家先期投入的契機，爲半導體集成電路的研發與産品推廣工作做出了巨大的貢獻。可以說，政府研發資金的投入對産業的建立和良性發展起到關鍵性作用。
大力發展風險投資市場：發達的風險投資爲美國半導體産業和半導體科技的飛躍發展提供了的巨大助力。爲推動和規範風險投資的發展，從1958年的《小企業投資公司法》到1993的《信貸擔保法案》，美國共頒布了十幾部與風險投資相關的法律。這些法律使美國成爲全球風險投資最活躍的地區，有力地保障了美國半導體産業領域的新技術、新成果迅速完成産業化轉換，並創造出了良好的經濟效益。可以說，硅谷的誕生及發展，以及90年代後期美國半導體産業的重新崛起，都與美國風險投資市場的發展密不可分。
3、需求創造
政府采購是美國扶持特定産業的重要政策工具，通過合同研發、購買産品等方式，美國政府利用龐大的政府采購支出極大地激勵了企業的研發創新活動，支持了包括集成電路及半導體等在內的高技術産業發展。
國防、宇航和民用領域的大量政府采購占據了早期半導體市場的最大份額。上世紀60年代，美國80%至90%的集成電路産品都由國防部采購。到上世紀90年代初期，美國軍用集成電路市場占集成電路總市場的比例仍高達40%。事實表明，美國國防部的采購對美國半導體業的早期發展具有決定性的影響，爲其後來長期處于世界領先地位奠定了堅實基礎。
上世紀90年代克林頓上台不久即采取措施，促進政府在半導體等高科技領域投資，當時僅計算機及其相關産品的政府采購就高達90億美元，這一措施在一定程度上支持美國重新奪回了集成電路産業的主導地位。
4、組織管理與産業協調
20世紀80年代美國作爲半導體的主要生産商在全球的位次大幅度下降，這樣的衰退被很多美國人認爲是對國家軍事安全和經濟的嚴重威脅，不少人將其歸咎于美國政府微電子産業的政策方向。爲了應對這種狀況，除美國政府繼續以巨大的國防支出來資助半導體業的研發外，1987年美國半導體協會成立。
美國國防部還牽頭與美國多家IC企業成立半導體制造技術産業聯盟（SEMATECH），促進元件廠與設備供應商的合作關系，加速半導體設備與材料的研發，和工藝標准化工作。美國國家科學院此後評價該聯盟顯著提升了20世紀90年代美國半導體制造能力。
1989年底組建了“國家半導體咨詢委員會”，從國家層面實現半導體産業的戰略轉型，放棄了競爭激烈DRAM芯片領域，重點發展微組件及LOGIC等附加價值高産品。
2015年7月國會成立“半導體核心工作組”，專爲聯邦政府不斷增加的半導體研發投資提供政策等支持。
5、創造良好的外部環境
當美國集成電路與半導體産業作爲整體遭遇不利的國際環境時，美國會動用政府力量，充分利用外交、貿易、法律等手段不遺余力地爲産業界排除不利國際環境的影響。20世紀80年代，當日本占據了全球隨機動態存儲器的最大市場份額後，美國政府采取了多種應對方式，包括1986年簽訂的美日雙邊協議來打開日本半導體市場。1993年美國政府公布了“國家出口戰略”，包括半導體、電腦、通訊等在內的6大産業被列爲國家重點出口産業。該戰略提出采取包括減除政府對技術領先産業出口的管制，提供貿易融資，貿易咨詢服務等措施，擴大美國企業出口，強化美國企業的外部競爭能力。
綜上所述，美國通過一系列政策和舉措，一方面實現集成電路産業的快速發展發展，另一方面實現集成電路産業與市場需求的緊密結合。在信息技術産業、汽車工業、裝備工業、先進制造業構成的強大綜合工業體系支撐下，美國集成電路産業發展既有應用市場做牽引和保障，反過來集成電路産品的發展也推動美國工業體系實力的不斷增強，二者形成良性互動。
不僅如此，注重原始創新、産品定位高端確保了美國集成電路産業的高獲利能力和在技術和産品方而的持續領先地位。合理的企業結構加之開放金融體系下形成的硅谷模式，穩固了美國集成電路産業發展基礎，增添了産業發展活力。目前，美國正積極通過培育市場需求、定義産品形態、加強軟件與硬件的融合以及打造産業生態鏈等方式，進一步鞏固在集成電路産業的獨特競爭優勢，持續保持在全球集成電路産業的領先地位。
（二）美國政府近兩年集成電路發展策略
盡管自1997年美國重返世界半導體市場第一位，並且在技術創新方面仍居全球首位。但是，在2016年美國奧巴馬總統顧問委員會表示美國半導體産業現正面臨的挑戰：摩爾定律放緩和中國競爭力的增強。2016年10月31日，美國奧巴馬總統顧問委員會宣布成立半導體工作組，工作組研究保持美國半導體産業強大的發展想法及建議，另外美國半導體行業協會（SIA）連同幾家行業研究公司，也協同提出發展建議。自2017年初，美國相關政府部門及行業協會組織陸續發布了對于集成電路産業發展的政策及建議。
1、特朗普政府稅法改革
美國總統特朗普2017年12月22日在白宮簽署了1.5萬億《稅收減免與就業法案》。這是30多年來美國最大的減稅計劃，作爲世界最發達的經濟體，這一減稅政策將對包括半導體産業在內美國經濟增長産生巨大影響。
自1986年裏根總統簽署《稅制改革法案》以來，美國曆屆政府均未對稅法做過重大調整。近年來，隨著産業空心化和資本外移趨勢增強，特朗普總統認爲，在經濟全球化條件下，受高稅負的影響，美國企業在海外形成的大量收入並未如期回歸美國，而是滯留在投資國的所在地，嚴重影響了美國人的利益。基于此，特朗普政府承諾進行減稅方案，實現“美國經濟優先”目標。
新的稅法將美國企業所得稅由 35% 降爲 21% ，這一標准低于全球工業化國家 22. 5% 的平均企業所得稅，且新稅法將對稅賦流轉企業的所有者給予相應扣除額度，能夠增加美國半導體企業利潤收入，增強美國半導體企業競爭力，提高勞動者薪資水平，還將引發跨國企業大量返美投資，創造更多就業崗位，增加勞動者收入，促進美國經濟的可持續發展。
按照原美國稅法規定，美國企業彙回海外利潤時，將被征收 35% 的高額稅。特朗普新稅法要求美國企業彙回海外利潤時，只需一次性繳稅14% ，淨減稅幅度達21 個百分點。美國半導體領域的領先企業比如高通，英特爾和NVIDIA等在海外有大量收入及利潤，新的政策可大幅增加美國半導體企業境外企業利潤彙回數量，對增加國內有效投資，促進就業有積極作用。
新稅法給予美國企業海外子公司的股息所得稅豁免，對納稅人在國外獲得收入不予征稅。也就是說，美國公司利潤只需在利潤産生的國家交稅，無需在美國國內重新納稅，避免了重複課稅，有利于增加企業利潤。與此同時，新稅法將新增 20% 的 “執行稅”，旨在避免跨國企業與國外分支機構以內部交易形式避稅，有利于跨國公司把現金更多的用于股票分紅和回購股份，將增加投資人收益。
美國半導體産業占有全球48%左右的市場份額，美國半導體領域的領先企業比如英特爾、高通和NVIDIA等在海外業務收入額巨大，特朗普政府的稅法改革將使得美國半導體公司在全球市場更具競爭力，促進産業進一步創新持續保持領先地位。
2、特朗普政府強推制造業回歸
制造業一度占美國國內生産總值25%，但今天這一比例已縮小到10%。早在競選期間，美國總統特朗普就提出了“重振美國經濟”、“重振制造業”的綱領。一個強大和充滿活動的制造業根基對于美國經濟長期繁榮至關重要，除此而外，重振制造業也是出于戰略上的考慮。
在半導體領域，2017年2月8日，英特爾CEO科再奇（Brian Krzanich）和特朗普舉行了會談，隨後英特爾宣布未來3-4年將投資70億美元用于建設半導體工廠，生産先進的七納米芯片。新工廠計劃坐落于美國亞利桑那州的錢德勒（Chandler），將創造3000個工作崗位之外，參與建廠也將創造一萬多個工作機會。
爲積極響應特朗普政策，2017年11月博通（Broadcom）表示將把總部從新加坡搬遷回美國，2018年4月，博通表示已經完成了總部的遷回計劃，位于加州聖何塞的聯合總部將成爲其唯一總部。這也意味著博通將200億美元的年營收帶回美國。據悉，後續博通還將投資40億美元用于研發，60億美元用于制造。
得益于稅改及制造業回歸政策，蘋果表示將在未來5年于美國境內投資超過300億美元，其中100億美元將投資于數據中心。此外，蘋果將選址新建園區，新園區將主要用于爲顧客提供技術支持。蘋果認爲，得益于目前在國內供應商、制造商方面的支出以及新的投資計劃，2018年蘋果爲美國經濟的直接貢獻將達到550億美元，而在未來5年這一數字將達到3500億美元，而這還不包括蘋果持續的稅收、雇員所得稅和蘋果的産品銷售。此外，蘋果目前已在美國各州雇傭了84000名員工，並預計將在未來5年創造超過20000個新增就業崗位。除直接雇傭外，其還將在投資供應商制造商和促進應用程序市場發展等方面爲美國國內創造就業崗位。
3、美國半導體行業協會（SIA）2018年政策建議
美國半導體行業協會（SIA）于1977年設立，是代表美國半導體産業的最大的貿易協會，其會員公司的産量占美國本土半導體産量的85%，通過與國會、政府以及其他關鍵産業份額占有者合作，SIA 旨在增強美國半導體研究、設計以及制造方面的領導地位，並敦促出台鼓勵創新的政策規定，推動行業進步和國際競爭。SIA最初總部位于西海岸的硅谷，但目前則遷移至首都華盛頓，與美國政府和議會的合作變得更加密切。
美國半導體行業協會雖就性質上而言不是政府機構，但所起的作用有時並不亞于後者。在立法活動中，SIA向政府提供本行業發展趨勢報告，負責有關貿易保護、市場損害的調查，並在必要時參與協調貿易糾紛，代表本行業向政府反映本行業企業的共同要求，提出行業經濟政策和制定行業標准。在美國半導體行業發展的關鍵時期，美國半導體行業協會都起到了智囊團及幕後推手的作用。
在當前世界經濟及半導體産業進入新的市場格局時期，美國半導體行業協會（SIA）也積極發聲，表示強大的美國半導體産業是美國經濟、技術和國家安全基礎設施的基礎。2018年向美國政府政策提出多條建議，具體如下：
（1）研究——增加對半導體研究的聯邦投資。
研究是半導體行業和整個經濟創新、背後的驅動力。SIA將繼續敦促政府作爲合作夥伴，在DARPA、NIST、NSF和DOE的科學研究上大幅增加聯邦投資。SIA還將推動政策制定者實施和支持推動下一代半導體技術的研究項目。
（2）貿易——擴大進入全球市場的渠道。
超過80%的美國半導體公司的銷售來自海外客戶，不受限制地進入全球市場至關重要。SIA將努力保持和擴大對這些市場的准入，並支持強勁的全球貿易。SIA還將敦促執行國際貿易規則，爲美國企業維持一個公平的競爭環境。
（3）稅收——-使美國的稅收系統具有全球競爭力。
2017年底頒布的全面改革美國過時的企業稅收制度的法案是對美國半導體行業的一種歡迎和期待已久的勝利，也是美國在半導體研究、設計和制造領域保持領先地位的重要一步。2018年，SIA將努力制定實施新稅法中所包含的公司稅改革規定所需的法規。SIA還將努力保持無形收入的較低水平，並鼓勵研究和創新。
（4）出口管制——減少商業半導體出口的負擔。
半導體是美國第四大出口産品，緊隨飛機、成品油和汽車，是美國經濟實力的重要推動力。SIA將倡導放寬對5G技術和其他商業産品的控制，允許美國半導體公司在全球商業和雙用途半導體市場上進行有效競爭。
（5）勞動力——加強美國的技術勞動力水平。
美國的半導體行業包括一些世界上最優秀、最聰明、最具創新精神的人。美國政府必須通過促進在科學、技術、工程和數學(STEM)領域吸引和留住高技能工人的政策來加強美國的技術勞動力。從長遠來看，投資STEM教育對于培養未來美國勞動力的技能至關重要。
（6）環境、健康和安全——支持可持續性。
在設計、制造和使用産品，以及操作的健康和安全方面，半導體行業是公認的全球領導者，都在促進環境的可持續性。2018年，SIA將努力推動制定適當的法規管理氣候氣體的工業排放和基本化學品及材料使用，並保障對半導體制造至關重要的材料供應。
（7）防僞——打擊假冒的半導體。
半導體被嵌入到無數的産品和系統中，這些産品和系統在我們的社會中發揮著至關重要的作用。在這些産品或系統中，單個組件的故障可能導致重大的健康、安全和安全風險。SIA將與美國海關和邊境保護局以及其他執法機構合作，加強對假冒半導體産品的執法力度，並增加對假冒産品的起訴，還將通過加強鼓勵通過授權采購的政策來減少假冒半導體的供應，特別是在政府供應鏈中。
（8）知識産權——通過保護有價值的知識産權來促進創新。
知識産權是半導體創新的命脈，知識産權的強大保護是持續成功的關鍵。包括幾家新航成員在內的半導體公司，每年都是美國專利的最大受益者。SIA將支持平衡的改革，以提高專利質量，減少專利侵權訴訟，並增加對商業秘密的保護。
4、SIA和SRC聯合發布《半導體研究機遇：産業願景與指南》
美國半導體研究協會（Semiconductor Research Corporation（SRC））是半導體及相關技術領域裏的全球領先大學研究協會，非營利性組織。 SRC積極推進大學研究項目，在半導體研發戰略中扮演著不可或缺的角色。
美國半導體行業協會（SIA）和半導體研究公司（SRC）2017年3月30日聯合發布《半導體研究機遇：産業願景與指南》（Semiconductor Research Opportunities：An IndustryVision and Guide）報告，呼籲産業界、學術界和政府必須加強相互之間的聯系合作，加大對超越傳統硅基半導體的重視程度和投入力度，進一步探索推動半導體技術創新的新興領域，以此確保美國的經濟實力和技術能力在全球範圍圍內保持領先地位。
當前，延續摩爾定律正直面兩大基本挑戰：一是由于物理性質限制，縮小晶體管尺寸越來越難。二是先進制程工藝的推進步伐越來越慢，半導體創新步伐開始放緩。因此，全球領先的半導體公司如英特爾、德州儀器、高通、IBM、美光、ARM、台積電、聯發科、Synopsys、MediaTek、GlobalFoundrie等共同發出聲音，認爲半導體系統必須最大限度地提高性能，減少能源消耗並提供安全保證，若要使半導體繼續實現性能改進，必須制定面向未來的半導體技術路線。
《半導體研究機遇：産業願景與指南》提出半導體多項關鍵研究領域及其潛在研究方向。關鍵研究領域包括：先進器件、材料和封裝；互聯技術和架構；智能內存與存儲；半導體電源管理；傳感器和通信系統；分布式計算和網絡；認知計算；仿生計算和存儲；先進架構與算法；安全與隱私；設計工具、方法和測試；下一代制造範式；與環境友好和安全相關的材料和工藝；新型度量與表征。
電子應用系統支撐技術
5、DARPA推出“電子複興計劃”
在集成電路發明的70多年，美國在科技創新、産業經濟及安全層面均處于優勢，爲繼續保持領先地位，需革命性新舉措。同時，集成電路在摩爾定律的驅動下，面臨物理和經濟極限；拐點臨近，電子技術的進步將進入下一創新階段。在此背景下，美國國防高級研究計劃局（Defense Advanced Research Projects Agency，簡稱DARPA）DAPRA在2017年6月1日提出電子複興計劃:Beyond Scaling: An Electronics Resurgence Initiative。
DARPA電子複興計劃主要內容
電子複興計劃計劃2018年度財政預算 7500萬美元，和電子、光子及相關領域年度資金總額目標爲2億美元以上，並會額外引入商業投資。該計劃計劃將專注于開發用于新器件的新材料、集成複雜電路的新架構、效率更高的系統級軟硬件，計劃目標旨在不僅僅是通過“傳統的微縮化”來提高電子性能。其中材料部分，將研究通過新材料，而不是縮小晶體管尺寸來提高電路性能，將不同的半導體材料集成在單個芯片上，具有邏輯和存儲功能，垂直結構而非平面結構；架構部分，將針對特定任務進行優化的新架構，比如GPU在深度學習中發揮了強大的作用；將繼續探索其它機會，比如可重構的物理結構，以適應軟件的需求；設計部分，側重于開發快速設計及實現的專用電路工具。新的設計工具也將會發生變革。
DARPA微系統技術辦公室計劃在2018年7月23-25日舉辦第一屆年度電子複興計劃(ERI)峰會。這次爲期三天的活動將會將那些受到摩爾定律影響最大的專業人士聚集在一起，包括來自商業部門、國防工業基地、學術界和政府的高級代表，以促進美國半導體創新未來方向上的合作。
（三）歐洲各國集成電路政策及代表項目曆程
1、歐盟委員會發布歐盟新電子産業戰略
歐盟委員會于2013年5月23日發表“歐盟新電子産業戰略”，提出公共部門與私營機構攜手合作加大對電子産業研發創新的投資，大力促進電子産業在研發創新領域的跨國合作，以確保歐盟在世界電子行業的領先地位和擴展歐盟先進的制造基地。
“歐盟新電子産業戰略”主要包括以下幾方面：一是加大協調對電子産業研發創新（R&D&I）的投資，通過加強成員國之間的合作來充分發揮歐盟及其成員國投資的作用；二是加強和完善歐盟現有的三大世界級電子産業集群（分別位于德國的德累斯頓、荷蘭和比利時的埃因霍溫、魯汶以及法國的格勒諾布爾）的建設，並且促進這三大産業集群與歐盟其他電子産業集群（如英國的劍橋、愛爾蘭的都柏林和意大利的米蘭等）的聯系合作；三是通過研發創新讓芯片的價格更低、速度更快、功能更多。
曆屆歐盟研發框架計劃
“地平線2020”計劃是歐盟委員會于2013年底批准實施的一項科研規劃方案，期限爲7年（從2014年至2020年），預算總額約爲770億歐元，是第七個歐盟科研框架計劃之後的主要科研規劃。作爲歐盟科技創新的主要規劃，“地平線2020”計劃的主要目的就是整合歐盟各成員國的科研資源，提高科研效率，促進科技創新，推動經濟增長和增加就業。根據“地平線2020”計劃，歐盟委員會建議成員國將研發經費在國內生産總值中所占比例從現在的2%左右增至2020年的3%。
按照計劃，歐盟將在今後7年中出資170億歐元用于有關應用技術方面的研發，具體包括信息技術、納米技術、新材料技術、生物技術、先進制造技術和空間技術等領域的研發。此外，歐盟還將根據計劃向“戰略創新議程”項目投資28億歐元，爲中小企業創新投資25億歐元，並且向科研企業提供種子基金以幫助吸引更多的私人投資。
“地平線2020”三大戰略優先領域之“工業技術”單列資助計劃
2、德國首次出台國家層面的創新戰略《德國高技術戰略》
2006年，德國首次出台國家層面的創新戰略《德國高技術戰略》，重點選擇了17個技術創新領域，包括健康與醫藥技術、安全技術、種植技術、能源技術、環境技術、通信與信息技術等，引入包括“尖端集群競爭”、“創新聯盟”等激勵機制。2010年德國再次推出升級版科技發展戰略《德國高技術創新戰略2020》，主要聚焦氣候與能源、健康與營養、物流、安全性和通信五大領域，從國家需求出發應對全球性挑戰。2014出台的德國 “工業4.0”戰略，更像一種制造業的智能化戰略加強版，是在《德國高技術戰略》與《德國高技術創新戰略2020》的基礎之上提出來的。2015年出台的“高科技戰略3.0”是德國高科技戰略的進一步升級。2016年下半年，德國聯邦內閣通過了由聯邦教研部提交的《納米技術2020行動計劃》。，目標是安全環保地生産使用納米材料，同時提升德國的國際競爭力。
2016年德國聯邦政府的研發資金支出高達158億歐元，較2006年增長70%。德國各領域在研發上的投入總額早在2012年便達到約795億歐元，占當年國內生産總值的2.98%，在歐洲國家處于領先地位。
3、比利時微電子研究中心IMEC
比利時微電子研究中心（IMEC）的全稱爲Interuniversity Microelectronics Center，是比利時弗蘭芒政府響應魯汶大學Van Overstraeten教授關于推動歐洲跨院校微電子研究合作的倡議，于1984年在魯汶大學微電子系的基礎上成立的一個非盈利性組織。
IMEC的研究模式共有4種，最主要的方式是“産業聯合項目（IIAP）”，與全球合作夥伴開展聯合研究，其余是與當地高校開展基礎研究，受邀與企業開展雙邊合作，以及申請參與歐洲政府項目，IMEC積極申請歐洲政府機構資助的研究項目，主要包括歐洲委員會第七科技框架計劃（FP 7）、歐洲航天局研究項目、比利時政府項目等。
IMEC經費收入從初期的1000萬~2000萬歐元，逐年增多，2000年突破1億歐元，2013年已達到3.32億歐元，其經費構成主要包括當地政府資助、國際企業和比利時企業的合作研究收入、歐洲委員會和歐洲航天局的項目經費。
微電子特別是半導體工藝研究具有持續時間長、資金投入大、技術風險高的特點，特別需要政府的大力扶持。比利時弗蘭芒政一直給予IMEC持續資助，這是其發展壯大的一個重要原因。從1984年至今，弗蘭芒政府每年都給予IMEC資金資助，並且穩步增長，從20世紀80年代年均1000多萬歐元，到90年代年均2000多萬歐元，再到2002年超過3000萬歐元，2008年超過4000萬歐元。而每當IMEC有大型研究或減少項目時，弗蘭芒政府還會額外增資，並且是第一個投資者。如：2003年，IMEC開始實施300nm晶圓計劃，弗蘭芒政府在年度撥款外增資3700萬歐元（IMEC籌集4700萬歐元），建成了2200m2實驗室；2012年，爲支持IMEC的450nm晶圓淨化間建設，弗蘭芒政府向IMEC額外撥款1億歐元，並計劃在未來5年內投資10億歐元幫助其擴大建設。
當然，弗蘭芒政府在IMEC論文數量、經費使用、成果轉化方面提出了具體要求，同時要求IMEC將部分成果通過孵化公司的方式實現商業化，每年至少成立1家公司。
（四）歐洲各國近兩年集成電路政策及代表項目
近年歐洲在促進集成電路發展政策方面未見有亮點，更多的是通過設立“傳感器”、“功率器件、“工業4.0”等歐洲半導體優勢領域的大型項目來繼續提高歐洲廠商在此領域的競爭力。
1、德國聯邦經濟部2017年發布《創新政策重點》
爲使德國晉升全球創新領先行列，德國聯邦經濟部2017年發布《創新政策重點》文件，提出了到2025年研發強度達3.5%、企業創新比例達50%、創業投資占GDP比重達0.06%的目標。將大力推進中小企業創新和數字化，並使德國在關鍵技術領域未來處于領先地位。一方面，對不同技術方向持開放態度，由企業自主決定技術投資方向，通過促進各類創新、刺激創業、加快數字化、加大公共創新采購、開展創新友好型監管，使更多創新潛力成爲可能。另一方面，爲占領未來世界科技領先地位，將加強産學研合作，發展工業4.0，完善質量保證基礎設施，考慮部分借鑒美國DARPA新設德國戰略性創新中心，並著重發展微電子、人工智能、生物技術、量子技術四大關鍵技術。
創新政策有兩大使命：一是對不同技術方向持開放態度，讓企業自主決定技術領域投資方向；二是需要資助有利于提升價值創造的未來技術。
其中在微電子領域，德國聯邦經濟部認爲，微電子技術是經濟數字化和成功實施“工業4.0”的關鍵，在很大程度上決定著機械制造、電子、汽車制造、新能源等德國核心産業的創新。德國將積極推進具有歐洲共同利益的重要項目，以在物聯網、工業4.0、自動駕駛等應用領域加強本國開發和制造能力，維護數字主權。2017-2020年將提供投資補助10億歐元，帶動企業項目投資44億歐元。
在政策的導向與支持下，博世集團2017年6月20日宣布，將在德國德累斯頓新建一座半導體晶圓廠。隨著物聯網和交通出行的發展，爲了更好地滿足日益增長的産品需求，新工廠落成後將用來生産基于12英寸晶圓技術的芯片。這座投資約10億歐元的高新技術工廠預計在2019年底竣工，2021年底開始投入運營。新的晶圓廠是博世集團130多年曆史上最大的單項投資。
2、歐盟 “傳感互聯（IoSense）”項目
2016年5月，歐盟啓動了“傳感互聯（IoSense）”項目。IoSense項目將在英飛淩公司現有制造廠中建造三條工藝制造線，並通過模塊化思路將歐盟現有先進制造能力整合進相應環節，形成歐盟範圍內先進生産能力的網狀連接。先進制造能力包括比利時微電子研究中心（IMEC）的光子和光電集成技術、德國的弗朗恩霍夫光電微系統研究所（IPMS）微機電系統技術、奧地利艾邁斯半導體公司（AMS）的三維集成組裝技術等。研究領域包括壓力、光學、磁、氣體、溫度、環境等各類傳感器，並可進一步按需嵌入數據存儲、處理和收發，以及自配置、自修複、安全和功率監控等系統級功能；目標是將歐盟先進傳感器和微機電系統的制造産能增加10倍，制造成本和時間減少30%，傳感器新産品從概念提出到上市銷售的時間縮短至1年以內，以提高競爭力和滿足未來巨大市場需求。IoSense項目的總預算爲6500萬歐元，由英飛淩公司牽頭，來自比利時等6個國家的33個機構參與其中。
3、歐盟“功率半導體制造4.0（SemI40）”項目
2016年6月歐洲啓動SemI40項目，強化智能制造優勢。SemI40項目以在不同地方，采用多種技術制造先進功率器件爲目標，通過研制網絡攻擊防範、大數據處理、基于數據提取和分析的自主決策、制造流程的數字化和虛擬化仿真、可靈活自主分配制造流程的系統等多項技術，確保有可用、可變、可控和可追蹤的制造能力，以及爲整個制造流程增加自主決策能力，建造可實現歐盟範圍內多種先進制造技術混合使用的智能化制造能力，並以此爲出發點探索工業4.0背景下更多半導體器件的智能制造。SemI40項目的總預算爲6200萬歐元，被歐盟視爲歐盟工業4.0最大的研究項目之一，由英飛淩公司牽頭，來自德國等5個國家的37個機構參與其中。
4、歐盟“Productive4.0”項目
2017年5月歐洲啓動的最大的工業4.0研究項目Productive4.0是歐洲微電子研究資助計劃ECSEL的一部分，其目標是加強微電子技術專長，以期實現廣泛的數字化。由英飛淩科技股份公司牽頭、聯合19個國家的100多家合作夥伴，包括寶馬、博世、飛利浦、泰利斯、恩智浦、STM、SAP、ABB、沃爾沃和愛立信等，以及領先科研機構，如卡爾斯魯赫技術學院、弗勞恩霍夫應用研究促進協會和德累斯頓工業大學等。該項目的投資爲1.06億歐元，將在三年內合作完成。該項目的意義還在于在強化歐洲半導體行業的同時也在歐洲不同行業領域進行廣泛應用。
5、CEA-Leti和Fraunhofer Group聯手研發合作
2017年7月，歐洲兩大研究機構——法國CEA-Leti以及德國Fraunhofer Group宣布簽署研發合作協議，雙方將建立一個“技術平台”，讓歐洲的中小企業與新創公司能取得先、進技術，共同推動歐洲將微電子技術研發與半導體制造根留本土的願景。
這兩大研究機構的合作目標包括取得法國與德國政府的研發資金，不只是爲他們自己的研發項目，也爲了兩地的微電子産業界；他們將爭取來自歐盟(EU)的認證，將其研發項目提升至“歐洲共同利益重要項目”(Important Project of Common European Interest，IPCEI)的等級，而終極目標是取得來自歐盟的資金補助。
FD-SOI、傳感器、電力電子以及化合物半導體是Leti-Fraunhofer合作研發項目的四大支柱。