據外媒報道稱，GlobalFoundries(格芯)今天宣布已經完成了22FDX(22nm FD-SOI)技術開發，而這項技術用于生産嵌入式磁阻非易失性存儲器(eMRAM)。
eMRAM這種綜合了RAM內存、NAND閃存的新型非易失性存儲介質斷電後不會丟失數據，寫入速度則數千倍于閃存，可以兼做內存和硬盤，甚至統一兩者。同時很關鍵的是，它對制造工藝要求低，良品率也高得多，可以更好地控制成本，成品價格自然不會太離譜。
事實上，除了GlobalFoundries外，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業巨頭多年來一直都在研究eMRAM。
GlobalFoundries表示，使用其22FDX和eMRAM工藝技術生産的測試芯片，在ECC關閉模式下，在-40°C到125°C的工作溫度下，具有10萬個周期的耐久性和10年的數據保持能力。
此外，GlobalFoundries的eMRAM測試産品還可以通過標准可靠性測試，包括LTOL(168小時)、HTOL(500小時)和5x焊料回流，故障率